Исследование начальных стадий формирования межфазных границ раздела A3 B5-оксид Хабибулин, Ибрагим Мюгюршаевич

Краткое описание

Хабибулин, Ибрагим Мюгюршаевич.
Исследование начальных стадий формирования межфазных границ раздела A3 B5-оксид : диссертация ... кандидата химических наук : 02.00.04. - Ставрополь, 1999. - 131 с. : ил.Оглавление диссертациикандидат химических наук Хабибулин, Ибрагим Мюгюршаевич
ОГЛАВЛЕНИЕ
ИССЛЕДОВАНИЕ НАЧАЛЬНЫХ СТАДИЙ ФОРМИРОВАНИЯ МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА А3 В5- ОКСИД
ВВЕДЕНИЕ
1. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ПОЛУПРОВОДНИК - ОКСИД И СОСТОЯНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ В ЭТОЙ ОБЛАСТИ
1.1. Роль межфазной границы раздела полупроводник-оксид
в современных технологиях
1.2. Экспериментальное и теоретическое исследование границ раздела полупроводник-оксид
Заключение к главе 1
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ИССЛЕДУЕМЫЕ МАТЕРИАЛЫ
2.1. Методика эксперимента
2.2. Исследуемые материалы
2.2.1. Получение атомарно-чистой поверхности полупроводниковых матриц
2.2.2. Определение толщины оксидного покрытия на поверхности А3В5
2.3. Подготовка и регистрация фотоэлектронных спектров
2.4. Математическая обработка электронных спектров
2.5. Контрольные измерения 45 Заключение к главе 2
3. МЕТОД ОБЪЕМНО-СТРУКТУРНОГО СООТВЕТСТВИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА РЕКОНСТРУКЦИИ ПОВЕРХНОСТИ
3.1. Применение метода объемно-структурного соответствия для анализа реконструкции поверхностей, представленных однородными атомами
3.2. Применение метода объемно-структурного соответствия для анализа реконструкции поверхностей, представленных разнородными атомами
Заключение к главе 3
4. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОРМИРОВАНИЯ МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ GaAs - ОКСИД
Заключение к главе 4
5. ИЗУЧЕНИЕ МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА АЪВ 5 -ОКСИД
5.1. Исследование формирования межфазной границы InAs-оксид
5.2. Исследование формирования межфазной границы GaP-оксид
Заключение к главе 5
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ