Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах Амосова, Лариса Павловна

Краткое описание

Амосова, Лариса Павловна.
Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 129 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Амосова, Лариса Павловна
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ 11 КОНТАКТНЫХ СТРУКТУРАХ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
1.1. Фотоэффект при поглощении света свободными носителями. И
1.2. Внутренняя фотоэмиссия в электронно-дырочных переходах.
1.3. Фотоактивность диодов Шоттки.
1.4. Спектральная зависимость квантовой эффективности диодов Шоттки.
1.5. Диоды Шоттки силицид кремния-кремний.
1.6. Обратные ВАХ диодов Шоттки.
1.7. Место приемников на горячих носителях в контактных 28 структурах среди других приемников ИК излучения.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ФОТООТВЕТА ПОЛУПРОВОДНИКО- 34 ВЫХ КОНТАКТНЫХ СТРУКТУР
2.1. Экспериментальная измерительная установка.
ГЛАВА 3. ФОТО АКТИВНОСТЬ СПЛАВНЫХ P-N ПЕРЕХОДОВ
3.1. Фотоактивность сплавных р-п переходов на основе герма- 37 ния.
3.2. Оптимизация рабочих параметров структур 44 Me-n-Ge.
3.3. Внутренняя фотоинжекция горячих носителей в транзисто- 49 рах.
3.4. Фототоинжекция в р-п переходах на основе соединений груп- 63 пы A"'Bv.
3.5. Фотокатод для ИК области. 75 3.6 Основные результаты.
ГЛАВА 4. ФОТОАКТИВНОСТЬ ДИОДОВ ШОТТКИ MeSi-/>-Si
4.1. Фотоэлектрические характеристики контактов Шоттки с низкими барьерами.
4.2. Изготовление диодов Шоттки на кремнии и контроль их структуры.
4.3. Усиление обратных токов на контактах с низкими барьерами
4.4. Основные результаты. Ш