Исследование пространственно–неоднородных электронных состояний методами низкотемпературной сканирующей зондовой микроскопии и спектроскопии Путилов Алексей Владимирович

Краткое описание

Путилов, Алексей Владимирович.Исследование пространственнонеоднородных электронных состояний методами низкотемпературной сканирующей зондовой микроскопии и спектроскопии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Путилов Алексей Владимирович; [Место защиты: ФГБНУ «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук»]. - Нижний Новгород, 2020. - 121 с. : ил.

Оглавление диссертациикандидат наук Путилов Алексей Владимирович
Цели и задачи диссертации
Научная новизна
Теоретическая и практическая значимость работы
Методология и методы исследования
Положения, выносимые на защиту
Личный вклад автора в получение результатов
Структура диссертации
1 Рост и электронные свойства квазидвумерных структур
1.1 Введение
1.1.1 Принципы сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии
1.1.2 Оборудование, использованное для СТМ/СТС исследований
1.1.3 Рост тонких металлических плёнок и островков при термическом осаждении
1.1.4 Структура рекоструированной поверхности 81(111) 7 х 7 и Аи(111) 22х/3, используемых в качестве подложек для роста структур
1.2 Квантово-размерные электронные состояния и визуализация скрытых дефектов в тонких РЬ пленках
1.2.1 Обзор работ по исследованию квантовых размерных эффектов в свинце
и других металлах
1.2.2 Напыление и характеризация тонких РЬ пленок на поверхности 81(111) 7 х
1.2.3 Мелкомасштабная неоднородность дифференциальной проводимости в
РЬ пленках
1.2.4 Крупномасштабные пространственно-неоднородные состояния и визуализация скрытых дефектов в пленках РЬ
1.3 Исследование начальной стадии роста ниобий-содержащих структур на поверхности 81(111) 7 х
1.3.1 Обзор литературы по особенностям роста и электрофизическим свойствам Nb и Nb-содержащих соединений на поверхности полупроводников
1.3.2 Методика напыления и характеризации выращенных структур
1.3.3 Квазиодномерные структуры
1.3.4 Квазидвумерные структуры
1.3.5 Трехмерные ограненные островки
1.4 Особенности роста поверхностных структур при адсорбции Ge на поверхности Au(111)
1.4.1 Обзор литературы по созданию двумерных материалов на основе элементов IV группы
1.4.2 Начальная стадия адсорбции Ge на поверхности Au(111): покрытие менее 0.1 монослоя
1.4.3 Образование Ge/Si структур в результате напыления Ge на поверхности Au(111)
1.5 Основные результаты главы
2 Пространственно неоднородные квазичастичные состояния в сверхпроводниках и нормальных металлах
2.1 Введение
2.1.1 Основы феноменологической теории сверхпроводимости
2.1.2 Вихревая решетка в сверхпроводниках II рода
2.1.3 Туннельный эффект между сверхпроводником и нормальным металлом
2.2 Особенности анизотропии кристаллической структуры и зонной структуры FeSe 66 2.2.1 Методика измерения плотности состояний в FeSe
2.3 Исследование вихревой решетки в монокристаллах FeSe во внешнем магнитном поле
2.3.1 Структура кора вихря в монокристаллах FeSe: определение размеров кора и анизотропии его формы
2.3.2 Трансформация вихревой решетки в монокристаллах FeSe при повышении внешнего магнитного поля
2.3.3 Описание трансформации вихревой решетки в рамках двухзонной модели Гинзбурга-Ландау
2.4 Пространственно-неоднородная сверхпроводимость в FeSe вблизи одномерного дефекта
2.5 Основные результаты главы
3 Поверхностная сверхпроводимость в микромостиках в резистивном состоянии
3.1 Введение
3.1.1 Критическое поле Нс3 и поверхностная сверхпроводимость
3.1.2 Обзор работ по исследованию поверхностной сверхпроводимости Нс3 и методы его исследования
3.1.3 Основы нестационарной теории Гинзбурга-Ландау
3.2 Экспериментальное исследование сверхпроводимости методом низкотемпературной сканирующей лазерной микроскопией
3.3 Численное моделирование сверхпроводящего мостика в резистивном состоянии
с помощью нестационарной теории Гинзбурга-Ландау
3.4 Основные результаты главы
Заключение
Список публикаций автора по теме диссертации
Список цитируемой литературы