Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами Рахимов, Одил




  • скачать файл:
  • Название:
  • Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами Рахимов, Одил
  • Альтернативное название:
  • Study of Clusters of Compensating Centers in Semiconductors and Their Interaction with Intrinsic Point Defects Rakhimov, Odile
  • Кол-во страниц:
  • 155
  • ВУЗ:
  • Ленинград
  • Год защиты:
  • 1984
  • Краткое описание:
  • Рахимов, Одил.
    Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 157 с. : ил.
    Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Рахимов, Одил
    ВВЕДЕНИЕ
    Глава I. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА НЕОДНОРОДНО ЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ОБРАЗОВАНИЕ СОБСТВЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ . . II
    §1. Основные свойства неоднородно легированных полупроводников .II
    I. Энергетическая структура неоднородно легированных полупроводников.II
    1.1. Хаотическое распределение примеси . II а) слабое легирование, слабая компенсация . II б) слабое легирование, сильная компенсация в) сильное легирование, слабая компенсация г) сильное легирование, сильная компенсация
    1.2. Нестатические (обусловленные технологией) флуктуации концентрации примеси а) модель квазиточечных скоплений б) модель Госсика - протяженные скопления
    2. Теория эффективной среды (ТЭС)
    2.1. Электропроводность
    2.2. Эффект Холла.
    2.3. Подвижность.
    3. Аномалии в подвижности.
    4. Фотопроводимость полупроводников со скоплениями компенсирующих электрически активный центров (э.а.ц.).
    §2. Образование собственных точечных дефектов в полупроводниках при облучении (ударный механизм генерации дефектов структуры) с т р,
    1. Основные представления
    2. Образование дефектов при облучении кристаллов электронами.
    3. Образование дефектов при У -облучении
    4. Создание областей разупорядочения
    §3. Взаимодействие собственных точечных дефектов с атомами примесей и друг с другом.
    1. Виды простейших собственных точечных дефектов
    2. Миграция и отжиг собственных точечных дефектов вСгаЛб и1пР , облученных ¿("-лучами и электронами
    3. Энергетические схемы атомов примесей в бяЛб и 1пР.
    4. Возможные виды взаимодействия точечных собственных дефектов со скоплениями э.а.ц.
    5. Термодоноры в кремнии.
  • Список литературы:
  • -
  • Стоимость доставки:
  • 230.00 руб


ПОИСК ДИССЕРТАЦИИ, АВТОРЕФЕРАТА ИЛИ СТАТЬИ


Доставка любой диссертации из России и Украины


ПОСЛЕДНИЕ СТАТЬИ И АВТОРЕФЕРАТЫ

ГБУР ЛЮСЯ ВОЛОДИМИРІВНА АДМІНІСТРАТИВНА ВІДПОВІДАЛЬНІСТЬ ЗА ПРАВОПОРУШЕННЯ У СФЕРІ ВИКОРИСТАННЯ ТА ОХОРОНИ ВОДНИХ РЕСУРСІВ УКРАЇНИ
МИШУНЕНКОВА ОЛЬГА ВЛАДИМИРОВНА Взаимосвязь теоретической и практической подготовки бакалавров по направлению «Туризм и рекреация» в Республике Польша»
Ржевский Валентин Сергеевич Комплексное применение низкочастотного переменного электростатического поля и широкополосной электромагнитной терапии в реабилитации больных с гнойно-воспалительными заболеваниями челюстно-лицевой области
Орехов Генрих Васильевич НАУЧНОЕ ОБОСНОВАНИЕ И ТЕХНИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЭФФЕКТА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОАКСИАЛЬНЫХ ЦИРКУЛЯЦИОННЫХ ТЕЧЕНИЙ
СОЛЯНИК Анатолий Иванович МЕТОДОЛОГИЯ И ПРИНЦИПЫ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ САНАТОРНО-КУРОРТНОЙ РЕАБИЛИТАЦИИ НА ОСНОВЕ СИСТЕМЫ МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА