Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика полупроводников
скачать файл: 
- Название:
- Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами Рахимов, Одил
- Альтернативное название:
- Study of Clusters of Compensating Centers in Semiconductors and Their Interaction with Intrinsic Point Defects Rakhimov, Odile
- Краткое описание:
- Рахимов, Одил.
Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 157 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Рахимов, Одил
ВВЕДЕНИЕ
Глава I. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА НЕОДНОРОДНО ЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ОБРАЗОВАНИЕ СОБСТВЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ . . II
§1. Основные свойства неоднородно легированных полупроводников .II
I. Энергетическая структура неоднородно легированных полупроводников.II
1.1. Хаотическое распределение примеси . II а) слабое легирование, слабая компенсация . II б) слабое легирование, сильная компенсация в) сильное легирование, слабая компенсация г) сильное легирование, сильная компенсация
1.2. Нестатические (обусловленные технологией) флуктуации концентрации примеси а) модель квазиточечных скоплений б) модель Госсика - протяженные скопления
2. Теория эффективной среды (ТЭС)
2.1. Электропроводность
2.2. Эффект Холла.
2.3. Подвижность.
3. Аномалии в подвижности.
4. Фотопроводимость полупроводников со скоплениями компенсирующих электрически активный центров (э.а.ц.).
§2. Образование собственных точечных дефектов в полупроводниках при облучении (ударный механизм генерации дефектов структуры) с т р,
1. Основные представления
2. Образование дефектов при облучении кристаллов электронами.
3. Образование дефектов при У -облучении
4. Создание областей разупорядочения
§3. Взаимодействие собственных точечных дефектов с атомами примесей и друг с другом.
1. Виды простейших собственных точечных дефектов
2. Миграция и отжиг собственных точечных дефектов вСгаЛб и1пР , облученных ¿("-лучами и электронами
3. Энергетические схемы атомов примесей в бяЛб и 1пР.
4. Возможные виды взаимодействия точечных собственных дефектов со скоплениями э.а.ц.
5. Термодоноры в кремнии.
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб