Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика полупроводников
скачать файл: 
- Название:
- Исследование твердых растворов InGaAsP для фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения Маричев Артем Евгеньевич
- Альтернативное название:
- Study of InGaAsP solid solutions for photoelectric converters of laser radiation Marichev Artem Evgenievich
- ВУЗ:
- ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
- Краткое описание:
- Маричев, Артем Евгеньевич.
Исследование твердых растворов InGaAsP для фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11. / Маричев Артем Евгеньевич; [Место защиты: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.02]. - Санкт-Петербург, 2023. - 111 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Маричев Артем Евгеньевич
Введение
Глава 1. Краткий обзор литературы
1.1. Фотоприемники на длину волны 1.06 мкм
1.2. Выбор материала для фотоприемника
1.3. Концепция фотопреобразователя мощного лазерного излучения(ФЭПМЛИ)
Глава 2. Обоснование использования метода изготовления гетероструктуры ФЭП
2.1. Эпитаксиальные методы изготовления твердых растворов
2.2. Устройство установки МОСГФЭ AIXTRON А1Х
Глава 3. Теоретический анализ существования зоны стабильных твердых растворов
3.1. Термодинамический анализ существования зоны стабильных твердых растворов с шириной запрещенной зоны 1.0-1.2 эВ на доступных подложках соединений А3Б5
3.2. Роль толщины слоя
3.3. Рост твёрдых растворов в области несмешиваемости
Глава 4. Технология изготовления твердых растворов InGaAsP с Б§~1.0-1.2 эВ
4.1. Рост 1пР
4.1.1. Выращивание нелегированных слоев 1пР
4.1.2. Выращивание легированных слоев 1пР
4.2. Рост четверных твердых растворов InGaAsP с Б§~1.0-1.2 эВ
4.2.1. Выращивание нелегированных твердых растворов InGaAsP с Б§~1.0-1.2 эВ
4.2.2. Легирование твердых растворов InGaAsP с Eg~1.05 эВ
4.3. Исследования спинодального распада в твердых растворах InGaAsP с Б§~1
Глава 5. Технология изготовления ФЭПМЛИ
Глава 6. Каскадные фотоприемники
6.1. Технология изготовления коммутационных элементов каскадов р-п переходов
6.2. Технология изготовления контактов
6.3. Изготовление оптического просветляющего покрытия
6.3.1. Исследование оптических характеристик просветляющего покрытия
6.4. Каскадный ФЭП
Выводы:
Список сокращений и условных обозначений:
Литература
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб