Исследование влияния замещений в катионной и анионной подрешетках на термоэлектрические свойства диселенида вольфрама Яковлева Галина Евгеньевна

Краткое описание

Яковлева, Галина Евгеньевна.
Исследование влияния замещений в катионной и анионной подрешетках на термоэлектрические свойства диселенида вольфрама : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 02.00.04 / Яковлева Галина Евгеньевна; [Место защиты: Институт неорганической химии им. А.В. Николаева]. - Новосибирск, 2019. - 111 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Яковлева Галина Евгеньевна
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
Глава 1. Литературный обзор
1.1. Основные параметры термоэлектрического материала
1.1.1. Электропроводность
1.1.2. Коэффициент Зеебека
1.1.3. Теплопроводность
1.1.4. Оптимальная зонная структура полупроводника
1.2. Дихалькогениды переходных металлов, как перспективные термоэлектрические материалы
1.2.1. Структура дихалькогенидов переходных металлов
1.2.2. Структура и основные свойства диселенида и дисульфида вольфрама
1.2.3. Способы увеличения термоэлектрической эффективности диселенида и дисульфида вольфрама
1.3. Современное состояние развития в области термоэлектричества и применения ТЭГ
1.4. Заключение и постановка задач исследования
Глава 2. Синтез и методы исследования образцов
2.1. Синтез твердых растворов замещения "^-хМЬх8е2->'3>
2.2. Рентгенофазовый анализ
2.3. Уточнение параметров кристаллической решетки
2.4. Методы исследования термоэлектрических свойств образцов
2.4.1. Метод измерения электропроводности
2.4.2. Метод измерения коэффициента Зеебека
2.4.3. Метод измерения эффекта Холла
2.4.4. Метод измерения теплопроводности
Глава 3. Поиск оптимальной концентрации замещающих элементов
3.1. Исследования влияния замещения в катионной подрешетке и влияния замещения в анионной подрешетке на РР
3.2. Поиск оптимальной концентрации замещающих элементов в твердых растворах ,^-хМЬх8е2-^
Глава 4. Результаты
4.1. Температурная зависимость концентрации и электропроводности Wl-л;NЬ;CSe2-A (х = 0.2,0.1,0.6; у = 0.2, 0.3, 0.4, 0.5)
4.2. Влияние неосновных носителей заряда на температурную зависимость коэффициента Зеебека Wl-xNЬxSe2-ySy (х = 0.2,0.1,0.6; у = 0.2, 0.3, 0.4, 0.5)
4.3. Температурная зависимость теплопроводности
4.4. Влияние морфологии структуры на термоэлектрические свойства соединений Wl-xNbxSe2-ySy
4.5. Термоэлектрическая эффективность твердых растворов Wl-xNbxSe2-ySy
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
БЛАГОДАРНОСТИ