Изучение обусловленных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии Боримскмй, Виталий Васильевич

Краткое описание

Боримскмй, Виталий Васильевич.
Изучение обусловленных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Киев, 1985. - 147 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Боримскмй, Виталий Васильевич
ВВЕДЕНИЕ.
Глава I. РАСПАД ТВЕРДОГО РАСТВОРА КИСЛОРОДА В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ И ВЛИЯНИЕ КИСЛОРОДНЫХ КОМПЛЕКСОВ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭТОГО МАТЕРИАЛА
§ 1.1. Некоторые свойства кислородных и углеродных атомов в кристаллах кремния
§ 1.2. Обусловленные кислородом доноры в кремнии, термообработанном в диапазоне температур 300
350°С.
§ 1.3. Обусловленные кислородом донорные центры в кремнии и преципитация кислорода при термообработках в диапазоне температур 550 - 900°С
Глава 2. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Введение.
§ 2.1. Характеристики исходных кристаллов.
§ 2.2» Измерение концентрации кислорода и углерода в кристаллах кремния.
§ 2.3. Подготовка образцов и проведение термообработок
§ 2.4. Установка для измерения времени жизни носителей тока и концентрации монополярных рекомбинашонных центров.
§ 2.5. Определение концентрации кислородных рекомбинационных центров в кристаллах кремния.
Глава 3. СТРУКТУРА, ОБРАЗОВАНИЕ И ОТЖИГ ОБУСЛОВЛЕННЫХ КИСЛОРОДОМ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ ПРИ ТЕРМООБРАБОТКАХ В ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУР 350 - 600°С.
Введение.
§ 3.1. Кинетика образования рекомбинационных центров в кремнии, содержащем кислород, при прогреве с температурой 450°С.
§ 3.2. Зависимость концентрации рекомбинашонных термоцентров, образующихся при температуре 450°С, от концентрации кислорода в кристаллах.
§ 3.3. Теоретическая модель. Кинетическое уравнение реакции образования-разрушения кислородного рекомбинационного центра и его состав
§ 3.4. Влияние термообработки при температуре 350°С на состав и концентрацию Щ(о}-1.
§ 3.5. Кинетика отжига кислородных рекомбинационных центров в кремнии в диапазоне температур 500
600°С.
§3.6. Зависимость концентрации рекомбинационных термоцентров от концентрации диспергированного кислорода в кристаллах кремния в диапазоне температур 500 - 600°С.
§ 3.7. Кинетическое уравнение распада и образования кислородных рекомбинационных термоцентров. Энергия активации образования центров
Краткие выводы.
Глава 4. ОБРАЗОВАНИЕ, РАСПАД И СОСТАВ НОВЫХ ОБУСЛОВЛЕННЫХ КИСЛОРОДОМ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ, ТЕРМ00БРАБ0ТАНН0М ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ ОТ
ДО 800°С.
Введение.
§ 4.1. Кинетика образования новых обусловленных кислородом рекомбинационных термоцентров
§ 4.2. Влияние кислорода и температуры отжига на новые обусловленные кислородом рекомбинационные термоцентры.
§ 4.3. Кинетическое уравнение образования и разрушения
РЦ(р}-2. Состав центров.
Краткие выводы.
Глава 5. ВЛИЯНИЕ УГЛЕРОДА. И ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО ОТШИТА НА ОБРАЗОВАНИЕ ОБУСЛОВЛЕННЫХ КИСЛОРОДОМ РЕКОМБИ
НАВДОННЫХ ТЕРМОЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ.
Введение.
§ 5.1. Влияние углерода на образование обусловленных кислородом рекомбинационных термоцентров при
450°С.
§ 5.2. Влияние углерода на образование обусловленных кислородом рекомбинационных термоцентров, образующихся при 650°С.ИЗ
§ 5.3. Влияние предварительного отжига при температуре 450°С на образование обусловленных кислородом рекомбинационных центров при термообработке с температурой 650°С
Краткие выводы.
ВЫВОДЫ.