Кинетика ударной ионизации мелких примесных центров и экситонов в германии Аснина, Жанна Сергеевна

Краткое описание

Аснина, Жанна Сергеевна.
Кинетика ударной ионизации мелких примесных центров и экситонов в германии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 129 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Аснина, Жанна Сергеевна
Введение
Глава. I" Ударная ионизация мелких примесных центров и экситонов в полупроводниках (обзор литературы)
§ I.I Мелкие водородоподобные образования в полупроводниках
§ 1.2. Ударная ионизация мелких примесных центров в германии . . </
§1.3. Ударная ионизация экситонов в полупроводниках . 23>
§ 1.4. Кинетические коэффициенты . 2Z
§ 1.5 Оптоэлектронные приборы, работающие на основе примесного пробоя
Глава I Методика эксперимента.4О
§ "2.1 Технология изготовления образцов.ЧО
§ 2.2 Обоснование экспериментальной методики . L
§ 2.3 Экспериментальная установка
Глава 3 Кинетика ударной ионизации мелких примесных центров в германии
§ 3.1 Метод исследования кинетики примесного пробоя фотовозбуждениого германия.
§ 3.2 Коэффициент ударной ионизации мелких цри-месных центров . 5Z
§ 3.3 Коэффициент захвата, носителей заряда на примесные центры.
§ 3.4 Малосигнальный метод изучения кинетики примесного пробоя
Глава 4 Кинетика ударной ионизации экситонов в германии . "72,
§ 4.1 Решение уравнений кинетики
§ 4.2 Методика определения концентрации экси-тонов . "73"
§ 4.3 Коэффициент ударной ионизации экситонов . Я2,
§ 4.4 Коэффициент связывания электронов и дырок в экситон. ^
§ 4.5 Ударная ионизация экситонов в магнитном поле . GO
Глава 5 Кинетический режим усиления фототока при примесном пробое в полупроводниках
§ 5.1 Зависимость кинетики развития примесного пробоя от уровня фотовозбуждения.
§ 5.2 Коэффициент усиления фототока в кинетическом режиме при примесном пробое.
§ 5.3 Экспериментальная реализация кинетического режима усиления фототока.