Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп Румянцева, Анна Игоревна

Краткое описание

Румянцева, Анна Игоревна.
Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 159 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Румянцева, Анна Игоревна
ОГЛАВЛЕНИЕ
стр
ВВЕДЕНИЕ 6 1. КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ МИКРОАНАЛИЗ
1.1. Физические основы РСМА
1.1.1. Методики проведения рентгеноспектрального микроанализа
1.1.2. Методы количественной обработки результатов РСМА
1.2. Методы КРСМА на основе моделирования движения электронов в твердом теле
1.2.1. Метод 1АР 19 ±.-¿.1.1. ъазовыи алгоритм расчета поправок ¿.ю 1.2.1.2. Выбор оптимального алгоритма расчета поправочных
коэффициентов в рамках метода. 2Аг
1.2.2. Метод Монте-Карло ' " 30 1.2.2.1.Эволюция моделей: схемы многократного и
однократного рассеяния 31 1.2.2.2."Базовая" модель имитации траектории движения
электрона по методу Монте-Карло
1.3. Метода-коэффициентов
1.4. Метод отношения относительных интенсивностей
1.5. Факторы, влияющие на правильность результатов РСМА 45 1.5.1. Методика подготовки образцов
1.6. Особенности РСМА полупроводниковых материалов
1.6.1. РСМА высокоомных материалов
1.6.2. Рентгеноспектральный микроанализ многофазных систем 5
1.6.3. Анализ многослойных полупроводниковых структур
в условиях ДЭГФ
Выводы по главе 1
Лг
3
2. РАЗРАБОТКА МЕТОДИК РСМА И ИССЛЕДОВАНИЕ
ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТПЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ МЕТОДОМ ОТНОШЕНИЯ ОТНОСИ ТЕЛЬНЫХ ИНТЕНСИВНОСТЕЙ
2.1. Метод отношения относительных интенсивностей
2.2. Методика анализа содержания компонентов на низких
уровнях концентрации
2.3. Метод ООИ для анализа четверных ПТР
2.4. Анализ образцов системы РЬ-8п-1п-Те
2.5. Исследование эффекта стабилизации электрофизических свойств монокристаллических образцов Pbo.8Sno.2Te, легированных 1п
2.6. Исследование меанизма вхождения индия в естественно ограненые монокристаллические образцы РЬ1_х8пхТе при легировании из газовой фазы
2.7. Анализ образцов ПТР системы 8п-1п-8е-Те
2.8. Исследование влияния однородности состава образцов системы 8п-1п-8е-Те на параметры перехода в сверхпроводящее состояние
2.9. Анализ естественно ограненных монокристаллов РЬТе, легированных Т1
Выводы но главе 2
3. МОДЕЛНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ РЕНТЕЕНОСПЕКТРАЛЬНОГО МИКРОАНАЛИЗА МНОЕОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР В УСЛОВИЯХ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ЭФФЕКТА ВТОРИЧНОЙ ФЛУОРЕСЦЕНЦИИ
3.1. Особенности анализа многослойных многокомпонентных структур методом РСМА
3.2. Особенности определения параметров диффузионных процессов методом РСМА
3.3. Эффект вторичной флуоресценции
3.4. Модель учета эффекта дальнодействующих эффектов гетерогенного фона (на примере двухслойной структуры AX/BY)
3.5 Проведение моделирования и обсуждение результатов
3.6 Изучение механизма образования слоистых структур
Ag2Te РЬ'РЬТе
Выводы по главе 3
4. МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНОГО МИКРОАНАЛИЗА ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
МАТЕРИАЛОВ
4.1. Особенности рентгеноспектрального микроанализа высокоомных материалов
4.2. Взаимодействие электронов зонда с высокоомной мишенью
4.3. Оценка времени установления квазистационарного режима «накопления - стекания» заряда в области генерации ХРИ
4.4. Физико-математическая модель РСМА высокоомных материалов
4.5. Оценка величины накопленного заряда
4.6. Учет наличия локального электрического поля при расчете тормозной способности электронов
4.7. Характеристики образцов и результаты моделирования
4.8. Критический анализ разработанных модельных представлений
4.9. Методика РСМА высокоомных фотопроводящих полупроводниковых образцов
4.10. РСМА керамических слоев, использующихся в качестве защитных покрытий в газотурбостроении
Выводы по главе 4
5. РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ МИКРОАНАЛИЗ СОБСТВЕННЫХ
ОКСИДОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА И ОЛОВА
5.1. Собственные оксиды полупроводниковых соединений
А4Вб и твердых растворов на их основе
5.2. Термодинамический анализ процесса образования собственных оксидов РЬТе и 8пТе при термическом окислении
5.2.1. Принципы построения диаграмм парциальных давлений
5.2.2. Компоненты систем РЬ-Те-0 и Зп-Те-0
5.2.3. Системы уравнений фазовых равновесий в системах РЬ-Те-О, 8п-Те-0 и термодинамические
характеристики реагентов
5.2.4. Построение и анализ ДПД систем РЬ-Те-0 и Бп-Те-О
5.3. Описание установки и методики проведения эксперимента
5.4. Результаты рентгеновского фазового анализа
5.5. Рентгеноспектральный микроанализ многофазных
1.-/Ч ^ • У 1 I Г ! X' ЛТТЛТДЛ! 1 ч7
иЛЪпДпВ1Л Ч/И^ 1 JiVl X
5.5.1. Оценка валового состава собственных оксидов
теллуридов свинца и олова
Выводы по главе 5
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИ ТЕРАТУРЫ