Кремниевые аноды для литий-ионных аккумуляторов Ложкина Дарина Андреевна

Краткое описание

Ложкина, Дарина Андреевна.
Кремниевые аноды для литий-ионных аккумуляторов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ложкина Дарина Андреевна; [Место защиты: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.02]. - Санкт-Петербург, 2023. - 132 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Ложкина Дарина Андреевна
Введение
Глава 1 Литературный обзор
1.1 Внедрение лития в кремнийсодержащие материалы
1.2 Способы уменьшения деградации и БЮ электродов
1.2.1 Синтез наноструктур кремния
1.2.2 Диспропорционирование БЮ
1.2.3 Получение композитных БЮ/С и Б1/С материалов
1.2.4 Использование электролитных добавок
Глава 2 Методы исследования
2.1 Физико-химические методы исследования
2.2. Электрохимические ячейки и э/х методы исследования
Глава 3 Аноды на основе спеченного кремния
3.1 Спекание нанопорошка кремния
3.1.1 Изохронный отжиг
3.1.2 Изотермический отжиг
3.1.3 Механизм спекания материала
3.2 Электрохимические характеристики Si анодов
3.2.1 Гальваностатические характеристики спеченных Si образцов
3.2.2 Циклическая вольтамперометрия
3.2.3 Спектроскопия электрохимического импеданса
Выводы по главе
Глава 4 Карбонизация кремния
4.1 Карбонизация пиролизом сахарозы спеченного кремния
4.2.1 Электрохимические характеристики Б1/С электродов, карбонизированных с помощью пиролиза сахарозы
4.2 Карбонизация с помощью фторуглерода
4.2.1 Синтез никельсодержащих композитов
4.2.2 Растровая электронная микроскопия
4.2.3 Рентгенофазовый анализ
4.2.3 Комбинационное рассеяние света
4.2.4 Электрохимические характеристики образцов
4.2.5 Влияние фторэтиленкарбоната (FEC) в составе апротонного электролита
Выводы по главе
Глава 5 Диспропорционирование SiO
5.1 Качественный рентгенофазовый анализ
5.2 Количественный рентгенофазовый анализ
5.3 Состав матрицы d-SiO
5.4 Размер и концентрация Si кристаллитов
5.5 Энергии активации процессов диффузии атомов Si в матрице SiOx и энергии
перекристаллизации выделяющихся в ней кластеров
5.6 Анизотропная деформация
Глава 6 Карбонизация SiO
6.1 Карбонизация SiO c помощью фторуглерода
6.1.1 Вискеры SiC
6.1.2 Количество образовавшегося карбида кремния
6.1.3 Комбинационное рассеяние света
6.2 Электрохимические характеристики композитных SiO/C электродов
6.2.1 Влияние температуры отжига
6.2.2 Влияние состава SiO/C на электрохимические характеристики анодов
6.2.3 Анализ необратимых потерь первого цикла
Выводы по главе
Заключение