МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле Вайнер, Борис Григорьевич

Краткое описание

Вайнер, Борис Григорьевич.
МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Новосибирск, 1984. - 237 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Вайнер, Борис Григорьевич
ВВЕДЕНИЕ.€
Основные обозначения и сокращения.ю
Глава I ВЛИЯНИЕ ПОПЕРЕЧНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА
СВОЙСТВА ВДП-СТРУКТУР (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).Н
§ I. Инлсекция, перенос и захват заряда в ЩП-структурах.Н
§ 2. Способы определения центроида заряда, накопленного в диэлектрике.
§ 3. Генерация состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик.
§ 4. Некоторые свойства кремниевых и германиевых ВДП-структур, содержащих пленки А^03 и пиролитического SiOz ./
§ 5. Электрофизические свойства ОДЦП-структур на основе TnSi .2.Ц
§ 6. Способы расчета энергетического спектра и поверхностного потенциала в области пространственного заряда полупроводников.
Постановка задач исследования.
Глава II РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ И ПОТЕНЦИАЛОВ
В ПОЛЯРИЗОВАННОЙ ВДП-СТРЖГУРЕ.
§ I. Описание поляризованной ВДП-структуры в приближении модели центроидов накопленного заряда.
§ 2. Расчет электростатического потенциала в ОПЗ
TnSQ в рамках классической статистики.
§ 3. Расчет электростатического потенциала и энергетического спектра в слое обогащения n-XnS£ с учетом размерного квантования в ОПЗ.
3.1 Описание методики самосогласованного расчета.СО
3.2 Выбор эффективной массы.С С
Основные результаты главы II.
Глава III ОПИСАНИЕ ПРОЦЕССОВ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА В ЮТ-СТРУКТУРЕ С ЛОВУШЕЧНЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ
ПРИ НИЗКОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ.
§ I. Накопление заряда в диэлектрике при положительном потенциале на полевом электроде.
§ 2. Захват в туннельном слое и его влияние на кинетику накопления заряда в объеме диэлектрика.
§ 3. Описание кинетики накопления заряда в ЩП-структурах с двухслойным диэлектриком при инжекции электронов из полевого электрода.
§ 4. Методика одновременного определения координаты центроида накопленного в диэлектрике заряда и высоты потенциального барьера, лимитирующего инжекцию.
Основные результаты главы III.
Глава 1У МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА. ИССЛЕДОВАНИЯ,
НЕОБХОДИМЫЕ ДЛЯ КОРРЕКТНОЙ ИНТЕРПРЕТАЦИИ РЕЗУЛЬТАТОВ ЭКСПЕРИМЕНТА В СИЛЬНОМ
ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ.Ю
§ I. Образцы.i
§ 2. Описание экспериментальной установки.fO7
§ 3. Температурная нестабильность напряжения плоских зон ВДП-структуры.
3.1 Обратимые измененияЛГ .US'
3.2 Влияние повышенной температуры на растекание заряда, накопленного в диэлектрике.
§ 4. Измерение напряжения плоских зон ВДП-струк-туры при наличии гистерезиса вольтфарадных характеристик.
Основные результаты главы 1У.
Глава У ЗАРЯДОВАЯ НЕСТАБИЛЬНОСТЬ ВДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ
В СИЛЬНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ.135"
§ I. Зарядовая нестабильность ЩП-структур с подслоем анодного окисла TnSi .135"
1.1 Положительная поляризация ЩП-структуры
0). Определение эффективной массы электрона в запрещенной зоне анодного окисла In Si .5~
1.2 Отрицательная поляризация ЩП-структуры 0).т
1.3 Поляризация со сменой знака.-/5*
§ 2. Зарядовая нестабильность ЩП-структур с пленками ^г03 и возможные механизмы накопления заряда в диэлектрике.
§ 3. Исследование бокового "растекания" заряда в ЩП-структурах с пленками пиролитического
3.1 Особенность зарядовой нестабильности структур с подложкой р -типа.
3.2 Увеличение фотоответа в структурах металл-диэлектрик-полупроводник после сильнополевого воздействия.1G
Основные результаты главы У.
Глава У1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЗОННОЙ ДИАГРАММЫ ЩП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ i*sl .т
§ I. Энергия активации ловушек в AiL
§ 2. Высота потенциального барьера
At-Atz05 .т
§ 3. Высота потенциального барьера
At - Si02 .<М
§ 4. Обсуждение моделей, объясняющих понижение высоты барьера At - пиролитический Si02 . 1В
Основные результаты главы У1.1%