Моделирование электронных состояний в кремниевых, германиевых и германий-кремниевых нанокристаллах Белолипецкий Алексей Владимирович

Краткое описание

Белолипецкий, Алексей Владимирович.
Моделирование электронных состояний в кремниевых, германиевых и германий-кремниевых нанокристаллах : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Белолипецкий Алексей Владимирович; [Место защиты: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук]. - Санкт-Петербург, 2020. - 90 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Белолипецкий Алексей Владимирович
1.2 Матрица диоксида кремния
1.2.1 Полиморфные модификации SiO2
1.2.2 Моделирование SiO2
1.3 Кремниевые нанокристаллы в матрице SiO2
1.3.1 Моделирование электронных и дырочных состояний
1.3.2 Результаты расчётов
1.3.3 Вычисление сечения поглощения
1.4 Цепочки кремниевых нанокристаллов
1.5 Краткие итоги
2 Моделирование кремний-германиевых нанокристаллов в матрице SiO2
2.1 Приближение виртуального кристалла для твёрдого раствора SiGe
2.2 Моделирования SiGe нанокристаллов в матрице SiO2
2.3 Обсуждения результатов
2.3.1 Вычисление сечения поглощения для кремний-германиевых
нанокристаллов
2.4 Краткие итоги
3 Моделирование кремниевых нанокристаллов в матрице a-Si:H
3.1 Особенности аморфного кремния
3.1.1 Исторические предпосылки
3.1.2 Электронные свойства аморфного кремния
3.2 Моделирование транспорта в плёнках a-Si:H с Si нанокристаллами
3.2.1 Уровни локализации в кремниевых нанокристаллах для электронов и дырок
3.2.2 Захват носителей заряда в нанокристалл
3.2.3 Туннельный транспорт электронов и дырок
3.3 Сравнение с экспериментальными данными
3.4 Краткие итоги
Заключение
Список литературы
Введение