Молекулярно-пучковая эпитаксия квантово-размерных структур на основе ZnSe-содержащих соединений Трубенко, Павел Анатольевич

Краткое описание

Трубенко, Павел Анатольевич.
Молекулярно-пучковая эпитаксия квантово-размерных структур на основе ZnSe-содержащих соединений : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.16. - Москва, 1999. - 122 с.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Трубенко, Павел Анатольевич
Введение.—.
Глава 1. Молекулярно-пучковая эпитаксия 2п8е.
§1.1. Описание установки молекулярно-пучковой эпитаксии.
§1.2. Поверхностные структуры. Теория.
§ 1.3. Параметры роста и фазовые диаграммы реконструкции поверхности эпитаксиальных плёнок 2п8е.
§1.4. Описание экспериментальной установки для проведения низкотемпературных фотолюминесцентных измерений.
§1.5. Экспериментальные результаты фотолюминесцентного анализа пленок гпБе.
Основные результаты Главы 1.
Глава 2. Молекулярно-пучковая эпитаксия 2пСс18е/2п8е, 2пСё8е/2п
§8е,.
§ 2.1. Оптических переходы в квантово-размерных структурах на основе соединений А2В6 со структурой цинковой обманки.
§ 2.2. Расчет энергетического положения уровней в квантовых ямах.
§2.3. Ширина линии излучения квантовой ямы 2пС(18е^п8е при разных температурах.
§2.4. Влияние термического отжига на люминесцентные свойства 2пСс18е/2п8е структур.:.
§2.5. Гомоэпитаксия и люминесценция квантово-размерных структур 2пСс18е^п8е на подложках 2п8е.
Основные результаты Главы 2.
Глава 3. Лазеры на основе квантово-размерных структур.
§3.1. Полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе квантово-размерной структуры 2пСс18е/2п8е.
§3.2. Вертикально-излучающий лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной структуры 2пСё8е/2п8е, выращенной на подложке СаАз.
§3.3. Вертикально-излучающий лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной структуры 2пСё8е/гп8е, выращенной на прозрачной подложке гп8е.
Основные результаты Главы 3.