Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия Федин Иван Владимирович

Краткое описание

Федин, Иван Владимирович.
Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.04 / Федин Иван Владимирович; [Место защиты: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники]. - Томск, 2019. - 147 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Федин Иван Владимирович
Введение
Глава 1. Литературный обзор
1.1 Современная силовая электроника. Электронная компонентная
база силовой электроники. Технологии энергосбережения в силовой электронике
1.2 Сравнение кремниевой, карбид кремниевой и нитрид галлиевой
силовой электроники. СаМ как перспективный материал силовой электроники
1.3 Диоды с барьером Шоттки. Особенности диодов с БШ на основе
гетероструктур АЮаМ/СаМ
1.4 Свойства гетероструктур АЮаМ/СаМ и технологии изготовле-
ния устройств на их основе
1.4.1 Структура и поляризационные свойства материала СаМ
1.4.2 Образование двумерного электронного газа в гетероструктурах А1ЖСа1-жМ/СаМ. Подвижность носителей заряда 2БЕС в гете-роструктуре
1.4.3 Температурные и радиационные свойства СаМ
1.5 Методы роста гетероструктур АЮаМ/СаМ
1.5.1 Подложки для гетероструктур АЮаМ/СаМ
1.5.2 Эпитаксиальные методы выращивания гетероструктур АЮаМ/СаМ
1.5.3 Характерные толщины слоев и известные зависимости свойств материала (приборов) от толщины слоев
1.6 Образование омического контакта к гетероструктуре АЮаМ/СаМ
1.7 Образование барьерного контакта к гетероструктуре АЮаМ/СаМ
1.8 Выводы
Глава 2. Методы и техника эксперимента
2.1 Техника эксперимента
2.2 Методика эксперимента
2.2.1 Описание гетероструктуры
2.2.2 Формирование омических контактов к AlGaN/GaN
2.2.3 Технологический маршрут изготовления гетероструктурных силовых AlGaN/GaN диодов с барьером Шоттки
2.2.4 Измерение приведённого контактного сопротивления омических контактов методом линий передач (TLM)
2.2.5 Измерение параметров барьерных контактов
2.3 Выводы
Глава 3. Разработка технологии формирования низкотемпературного омического контакта на основе Та/А1 к гетеропереходам AlGaN/GaN
3.1 Исследование влияния толщин металлизации и температуры от-
жига на электрические параметры низкотемпературных омических контактов на основе Та/Ai к гетеропереходам AlGaN/GaN
3.2 Исследование влияния рецесса на электрические характеристики
низкотемпературных омических контактов на основе Та/Ai к гетеропереходам AlGaN/GaN
3.3 Выводы
Глава 4. Исследование влияния конструктивно-технологических особенностей изготовления анода на основе барьера Шоттки на электрические характеристики мощных AlGaN/GaN диодов
4.1 Исследование влияния материала барьера Шоттки на электриче-
ские характеристики мощных AlGaN/GaN диодов
4.2 Исследование влияния рецесса анодной области AlGaN на элек-
трические характеристики мощных AlGaN/GaN диодов
4.3 Выводы
Заключение
Литература
128
Приложение А
Приложение Б