Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP: МОС-гидридная эпитаксия, свойства и применения в оптоэлектронных приборах Лабутин, Олег Анатольевич

Краткое описание

Лабутин, Олег Анатольевич.
Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP : МОС-гидридная эпитаксия, свойства и применения в оптоэлектронных приборах : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 145 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Лабутин, Олег Анатольевич
Введение
Глава 1. Обзор литературы
1.1. Толстые плёнки 1пР и твёрдых растворов на его основе
1.2. Изопериодичные квантово - размерные структуры на основе ШОаАэРЛпР
1.3. Напряжённые квантово - размерные структуры и сверхрешётки
1.4. Полупроводниковые лазеры на основе напряжённых квантово -размерных структур
1.5. Выводы по анализу литературы
Глава 2. Экспериментальное оборудование и методика экспериментов
2.1. Эпитаксиальное оборудование
2.2. Диагностическое оборудование
2.3. Экспериментальная процедура роста
Глава 3. Моделирование квантово - размерных структур для полупроводниковых лазеров, излучающих на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм
3.1. Постановка задачи
3.2. Напряжение, квантово - размерный эффект и критическая толщина
3.3. Напряжённые гетероструктуры на основе 1пСаАзР/1пР для полупроводниковых лазеров, излучающих на длинах волн 1. и 1.55 мкм
3.4. Краткие выводы
Глава 4. Оптимизация условий МОС - гидридной эпитаксии и напряжений в слоях квантово - размерных структур на основе 1пОаАзР/1пР
4.1. Постановка задачи
4.2. Толстые слои твёрдых растворов
4.3. Влияние окружающих слоев и температуры эпитаксии на оптические свойства квантовых ям и сверхрешёток на