Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p +-n-переходом Ильченко, Геннадий Петрович

Краткое описание

Ильченко, Геннадий Петрович.
Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p +-n-переходом : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Краснодар, 1999. - 145 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Ильченко, Геннадий Петрович
ВВЕДЕНИЕ.,.
ГЛАВА 1, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУР С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ /-«-ПЕРЕХОДОМ.
1.1. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МТОП-структур.:.
1.2. Неравновесные электронные процессы в структурах МТОП.
1.3. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики БИСПИН-структуры.
ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВ И
МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ.
2.1. Технология изготовления образцов МТОП- и Б И С П И Н -структур
2.2. Экспериментальная установка и методика проведения эксперимента
2.3. Методика измерения полного дифференциального сопротивления и
С- Г-характеристик СРП.
2.4. Методика измерения распределенного сопротивления базы.
2.5. Технология изготовления СВЧ-образцов и методика их исследования.
2.6. Экспериментальная установка для исследования температурной зависимости параметров колебаний в СРП.
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ НЕРАВНОВЕСНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ В СТРУКТУРАХ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ /-л-ПЕРЕХОДОМ.
3.1. Семейства В АХ структуры с распределенным /-«-переходом и активным МТОП-контактом
3.2. Вольт-амперные характеристики БИСПИН-структуры.
3.3. Зависимость полного дифференциального сопротивления структур с распределенным /-«-переходом от напряжения на активном контакте.
3.4. Исследование влияния распределенного р -«-перехода на параметры колебаний в структурах с распределенным /-«-переходом
ЗАКЛЮЧИТЕЛЬНЫЕ ВЫВОДЫ К ТРЕТЕЙ ГЛАВЕ.
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА НЕРАВНОВЕСНЫЕ ПРОЦЕССЫ В СТРУКТУРАХ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ /-«-ПЕРЕХОДОМ.
4.1. Исследование зависимости параметров колебаний в структурах с распределенным /-«-переходом от температуры.
4.2. Неравновесная динамическая проводимость транзисторных структур с распределенным/-«-переходом в СВЧ поле.
4.3. Функциональные датчики температуры и СВЧ мощности на основе СРП.
ЗАКЛЮЧИТЕЛЬНЫЕ ВЫВОДЫ К ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАВЕ.
ГЛАВА 5. ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ
СТРУКТУР С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ /-«-ПЕРЕХОДОМ.
5.1. Функциональный время-импульсный преобразователь
5.2. Аналого-цифровые преобразователи.
5.5. Синхронный детектор.
5.6. Согласование функциональных приборов на основе СРП с цифровыми схемами и устройствами.