Олійник Сергій Володимирович. Модифікація електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і Cd1-хZnхTe для електронної техніки

Краткое описание

Олійник Сергій Володимирович. Модифікація електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і Cd1-хZnхTe для електронної техніки : Дис... канд. наук: 05.27.06 - 2008.

Олійник С.В. Модифікаціяелектрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і Cd1-хZnхTe для електронної техніки. Рукопис.
Дисертація на здобуття вченого ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06 технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. Харківський національний університет радіоелектроніки, Харків, 2008.
Робота присвячена розробці наукових основ технології післяростової модифікації електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і Cd1-хZnхTe для електронної техніки.
Дослідження частотних і температурних залежностей діелектричних сталих кристалів дозволило встановити, що одним з основних чинників модифікації їх властивостей є еволюція внутрішніх полів, яка залежить від орієнтації дії зовнішніх чинників відносно системи двовимірних дефектів структури. Це підтверджено дослідженням полікристалів ZnSe.
Встановлено, що в основу вищезазначеної технології можуть бути покладені циклічний нагрів і дія малих доз іонізуючого випромінювання, а також розроблені методи вимірювання електрофізичних параметрів кристалів. Можливості технології розширює легування кристалів ZnSe домішкою Cr за умови формування в них системи двовимірних дефектів структури.

В результаті виконаних в роботі комплексних досліджень досягнуто поставленої мети розроблено наукові основи технології післяростової модифікації електрофізичних та фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і Cd1-xZnxTe для електронної техніки. Найбільш важливі наукові та практичні результати досліджень можна сформулювати у вигляді наступних узагальнених висновків:

На підставі аналізу технологічних чинників та умов росту, які визначають структурну досконалість, електрофізичні і фотоелектричні властивості вирощуваних з розплаву кристалів AIIBVI, показана актуальність розробки технології післяростової модифікації цих властивостей кристалів як складової виробництва електронних приладів.
З використанням розроблених методів вимірювання електрофізичних параметрів кристалів показано, що визначальна роль в післяростовій модифікації електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe належить системі двовимірних дефектів структури і пов'язаним з ними пружним та електричним полям.
Встановлено, що анізотропія електрофізичних властивостей кристалів ZnSe, які містять систему двовимірних дефектів структури, забезпечує використання їх в якості сенсорів фізичних величин, що характеризуються сильною залежністю діелектричних сталих від частоти електричного поля, температури і кристалографічного напряму.
Показано, що легування Cr зразків ZnSe з системою двовимірних дефектів структури розширює можливості технології післяростової модифікації їх електрофізичних властивостей для потреб електронної техніки. Вплив домішок Cr на електрофізичні властивості кристалів пояснено взаємодією домішкових атомів з власними і двовимірними дефектами структури, яка, у свою чергу, пов'язана з технологічними умовами росту кристалів.
Встановлено, що в основу технології післяростової модифікації електрофізичних та фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe і Cd1-xZnxTe для електронної техніки можуть бути покладені циклічний нагрів і дія малих доз іонізуючого випромінювання, які зумовлюють зміни дефектної структури, внутрішніх пружного і електричних полів без деградації властивостей кристалів.
Запропоновано методику контролю придатності кристалів Cd1-xZnxTe для дозиметрії іонізуючих випромінювань, яка базується на вимірюванні розподілу фотопровідності за довжиною хвилі світла.