Оптические свойства метаматериалов и структур на основе AlGaAs/AsSb Ушанов Виталий Игоревич

Краткое описание

Ушанов, Виталий Игоревич.
Оптические свойства метаматериалов и структур на основе AlGaAs/AsSb : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ушанов Виталий Игоревич; [Место защиты: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук]. - Санкт-Петербург, 2019. - 143 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Ушанов Виталий Игоревич
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Оптические свойства объёмных материалов GaAs и AlGaAs
1.1.1. Моделирование дисперсионных соотношений для оптических констант
1.1.2. Экспериментальные исследования законов дисперсии п(ш) и е(ш)
1.1.3. Оптическое поглощение в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах
1.2. Оптические свойства квантовых ям GaAs-AlGaAs
1.2.1. Оптические свойства экситонов в квантовых ямах
1.2.2. Резонансные брэгговские структуры с квантовыми ямами
1.3. Оптические свойства металлических нановключений в полупроводниковой матрице
1.3.1. Приближение эффективной среды
1.3.2. Оптическая экстинкция в металло-полупроводниковых материалах
1.3.3. Нановключения As и AsSb в GaAs
1.4. Формирование нановключений As и AsSb в эпитаксиальных слоях GaAs
1.4.1. Формирование избыточного As в пленках GaAs. Влияние легирования
1.4.2. Влияние термообработки на структуру и свойства слоев низкотемпературного GaAs. Формирование нановключений
1.4.3. Разработка микроструктуры композитного материала. Квазидвумерные слои нановключений As
1.4.4. Модификация структуры нановключений
1.5. Заключение
Глава 2. ОБЪЕКТ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Исследуемые наноструктуры
2.1.1. Неупорядоченные системы нановключений As и AsSb в Al0.3Ga0.7As
2.1.2. Периодические системы нановключений AsSb в Al0.3Ga0.7As
2.1.3. Периодические системы квантовых ям GaAs0.975P0.025-Al0.3Ga0.7As0.975P0.025, содержащих массивы нановключений AsSbP
2.2. Методика эксперимента
2.2.1. Спектроскопия оптического отражения и пропускания
2.2.2. Оптическая модуляционная спектроскопия электроотражения
2.2.2.1. Экспериментальная установка
2.2.2.2. Анализ формы спектральных линий
2.3. Методики численного расчета
2.3.1. Диэлектрическая проницаемость объемного материала AlGaAs
2.3.2. Метод матриц переноса
2.4. Выводы
Глава 3. ОПТИЧЕСКАЯ ЭКСТИНКЦИЯ В НЕУПОРЯДОЧЕННОЙ СИСТЕМЕ AsSb-Al0.3Ga0.7As
3.1. Оптическое отражение в неупорядоченных системах As и AsSb в Al0.3Ga0.7As
3.2. Оптическое поглощение в неупорядоченных системах As и AsSb в Al0.3Ga0.7As
3.3. Моделирование спектров оптической экстинкции в неупорядоченной системе AsSb-Al0.3Ga0.7As
3.4. Выводы
Глава 4. РЕЗОНАНСНОЕ ОПТИЧЕСКОЕ ОТРАЖЕНИЕ ОТ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ СЛОЕВ AsSb-Al0.3Ga0.7As
4.1. Экспериментальное исследование отражения света от периодических систем 12 и 24 слоев AsSb-Al0.3Ga0.7As
4.2. Численное моделирование спектров оптического отражения от систем 12 и 24 слоев AsSb-Al0.3Ga0.7As
4.2.1. Модель взаимодействия света со слоем металлических наночастиц
4.2.2. Расчет спектров оптического отражения
4.3. Выводы
Глава 5. ОПТИЧЕСКОЕ ЭЛЕКТРООТРАЖЕНИЕ В ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СИСТЕМЕ КВАНТОВЫХ ЯМ GaAs0.975P0.025-Al0.3Ga0.7As0.975P0.025, 6-ЛЕГИРОВАННЫХ Sb И P
5.1. Экспериментальное исследование электроотражения света в нестехиометрических квантовых ямах LTG-(GaAso.975Po.025-Alo.зGao.7Aso.975Po.025)
5.2. Влияние 5-легирования Sb и P на диффузионное размытие квантовых ям GaAs0.975P0.025-Al0.3Ga0.7As0.975P0.025 в процессе высокотемпературных отжигов
5.3. Моделирование спектров оптического электроотражения
5.4. Температурная зависимость ширины экситонной линии еИгк!
5.5. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИОННОГО ИССЛЕДОВАНИЯ
ОПРЕДЕЛЕНИЯ, ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
ВВЕДЕНИЕ