Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях Агафонов, Александр Иванович

Краткое описание

Агафонов, Александр Иванович.
Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1984. - 175 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Агафонов, Александр Иванович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ В МДП-СТРУКТУРАХ.
§ I.I. Общие закономерности протекания тока в аморфном диэлектрике МДП-структуры.
§1.2. Нестабильность электрофизических характеристик МДП-структур.
ГЛАВА П. ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ИНЖЕКЦИИ ЗАРЯДА В ШИРОКОЗОННЫЙ АМОРФНЫЙ ДИЭЛЕКТРИК МДП-СТРУК-ТУР И ИХ СВЯЗЬ С НЕСТАБИЛЬНОСТЬЮ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ.
§ 2.1. Особенности электронных процессов при инжекции заряда в широкозонный аморфный диэлектрик ВДП-структур.
§ 2.2. Переходные процессы в МДП-структурах при знакопеременной инжекции носителей заряда из полупроводника.
§ 2.3. Переходные процессы при двухполярной инжекции зарядов в широкозонный диэлектрик с большим числом центров захвата.
ГЛАВА Ш. ПЕРЕНОС ЗАРЯДА В АМОРФНЫХ ДИЭЛЕКТРИКАХ НА
ПОСТОЯННОМ ТОКЕ.
§ 3.1. Температурная зависимость энергии активации проводимости аморфных диэлектрических материалов.
§ 3.2. Проводимость аморфных полупроводников
Ах с потенциальными флуктуациями краев зон подвижности.
§ 3.3. Теория переноса заряда в сильных электрических полях, основанная на изменении уровней энергии локализованных состояний в щели подвижности.
А. Перестройка энергетического распределения локализованных состояний в щели подвижности во внешнем электрическом поле.
Б. Перенос заряда по зоне подвижности аморфного полупроводника в сильных электрических полях
§ 3.4. Анализ экспериментальных данных по переносу заряда в аморфном нитриде кремния в сильных электрических полях. НО
ГЛАВА 1У. ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЛАКСАЦИИ ЗАРЯДА ЗАХВАЧЕННОГО В ДИЭЛЕКТРИКЕ МДП-СТРУКТУРЫ ПРИ МНОГОКРАТНЫХ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯХ.
§ 4.1. Туннельная релаксация заряда в ОДЩ-структу-pax с учетом скомпенсированного заряда в объеме диэлектрика.
§ 4.2. Перенос заряда в диэлектрике в электрических полях, созданных захваченным зарядом в МДП-структуре.
§ 4.3. Влияние фотовозбуждения на процесс релаксации заряда, захваченного в аморфном нитриде кремния.
§ 4.4. Влияние толщины аморфного нитрида кремния на время хранения заряда в деградированных МНОП-элементах памяти.