Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков Юрьев, Юрий Николаевич

Краткое описание

Юрьев, Юрий Николаевич.
Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 117 с.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Юрьев, Юрий Николаевич
ГЛАВА 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЯВЛЕНИЯ ЭМИССИИ ЭЛЕКТРОНОВ, ВОЗБУЖДАЕМОЙ РЕНТГЕНОВСКИМ ИЗЛУЧЕНИЕМ.
1 .1. Анализ основныхпроцессовг составляющие явление.
1.2. Особенности эмиссии на краях поглощения рентгеновского излучения.
1.3. Вывод новой функции выхода электронов.
1.4. Моделирование квантового выхода эмиссии электронов, возбуждаемой рентгеновским излучением.
1.5. Выводы.:.
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ..
2.1. Функциональная.схема.I;:.
2.2. Оптическая схема.,.1:.
2X Расчет разрешения™ энергиивозбуждающихрентгеновских. фотонов.
2.4. Измерение основных характеристик спектрометра.
2.5. Выводы.6.
ГЛАВА. 3. МЕТОДИКИ И ЭКСПЕРИМЕНТ..
3.1. Экспериментальные методы исследования материалов и структур твердотельной электроники.
3.2. Исследование фотоэлектронной эмиссии из объемных полупроводников Ge и Si.
3.3. Исследованиегетероструктур AlxGAixAs.:.
3.4. Исследование структур Al-Ge с тонким верхним слоем (10-f 80 нм).
3.5. Исследование профилей состава в GaAs, образующихся при бомбардировке ионами Ar+.
3.6. Исследование ТЮ2 и твердых растворов TiixNbx02.
3.6. Выводы.