Разработка методики расчета и проектирования упругого элемента тензодатчика на структуре "Кремний на сапфире" Скворцов Павел Аркадьевич

Краткое описание

Оглавление диссертациикандидат наук Скворцов Павел Аркадьевич
Список сокращений
Введение
Глава 1. Обзор литературы, посвященной расчету и проектированию тензодатчиков на структуре «кремний на сапфире»
1.1. Сравнительный анализ структур полупроводниковых датчиков давления
1.2. Особенности расчета и проектирования полупроводниковых тензодатчиков на структуре «кремний на сапфире»
1.3. Выводы по первой главе
Глава 2. Аналитические методы расчета упругого элемента мембранного типа полупроводникового датчика давления на
структуре «кремний на сапфире»
2.1. Расчет УЭ ТП на КНС по линейной теории изгиба пластин
2.1.1. Расчет УЭ ТП на КНС по линейной теории изгиба круглой пластинки, защемлённой по контуру
2.1.2. Плоская мембрана с жестким центром в области малых перемещений
2.2.1. Расчет плоской мембраны в области больших перемещений
по теории абсолютно гибкой мембраны
2.2.2. Расчет плоской мембраны с жестким центром как абсолютно гибкой мембраны
2.3. Уточненный расчет плоских мембран при произвольных
прогибах
2.4. Выводы по главе
Глава 3. Экспериментальное исследование чувствительного элемента
ТП на структуре «кремний на сапфире»
3.1. Экспериментальное исследование границы кремний-сапфир
3.2. Экспериментальное определение прочностных свойств припоя ПСР72
3.3. Выводы по главе
Глава 4. Численное моделирование полупроводникового датчика на
КНС методом конечных элементов
4.1. Расчет напряженно-деформированного состояния УЭ тензодатчика на КНС в программном комплексе АКБУБ
4.2. Анализ температурных напряжений в полупроводниковом
датчике на КНС в программном комплексе АКБУБ
4.3. Выводы по главе
Глава 5. Многокритериальная оптимизация
5.1. Алгоритм оптимизации
5.2. Выводы по главе
Глава 6. Результаты многокритериальной оптимизации
6.1. Экспериментальная проверка достоверности результатов
6.2. Выводы по главе
Выводы по работе
Список литературы
Приложение 1. АРЭЬ-файл алгоритма оптимизации
Приложение 2. Акт о внедрении результатов диссертационной работы
Список сокращений
КНС - кремний на сапфире; ИС - интегральная схема;
ПЧЭ - полупроводниковый чувствительный элемент;
УЧЭ - упругий чувствительный элемент;
ТП - тензопреобразователь;
ТД - тензодатчик;
ТР - тензорезистор;
КНИ - кремний на изоляторе;
КНД - кремний на диэлектрике;
НДС - напряженно-деформированное состояние;
ПЭМ - просвечивающая электронная микроскопия;
КТР - коэффициент термического расширения;
ГПН - гистерезис первого нагржения;
СЭМ - сканирующий электронный микроскоп;