Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням

Краткое описание

НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова

На правах рукопису
Лозінський Володимир Борисович
УДК 539.216.2

Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням

05.27.06. технологія,обладнання та виробництво електронної техніки

Дисертація на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук

Науковий керівник:
Д. ф.-м. н., професор
Клюй Микола Іванович

Київ 2013 рік

ЗМІСТ
Список скорочень та позначень 5
ВСТУП 6
РОЗДІЛ 1. Огляд літератури 12
1.1. Оптичні властивості модифікованих плівок SiO2
ІЧ-області спектру. 12
1.2. Вплив обробок на властивості алмазоподібних вуглецевих плівок. 20
1.2.1. Вплив іонної імплантації на властивості АВП20
1.2.2. Вплив рентгенівського, γ- та УФ- опромінення на
властивості АВП 26
1.3. Просвітлення приладів і структур на основі арсеніду галію 29
1.4. Мета та задачі дослідження34
Висновки до розділу 1 35
РОЗДІЛ 2. Методичні особливості отримання, модифікації
та дослідження функціональних шарів і кристалів 36
2.1. Розробка системи автоматизованого управління установкою газодетонаційного осадження функціональних шарів 36
2.2. Розробка концентраторної фотовольтаїчної установки на основі плоских дзеркал 46
2.3. Методика дослідження спектрів ІЧ пропускання і відбивання з використанням Фур’є-спектрометра . 57
Висновки до розділу 2 61
Розділ 3. ДОСЛІДЖЕННЯ ОптичнИХ властивостЕЙ алмазоподібних вуглецевих плівок та плівок SiO2 і вплив на них обробок 62
3. Модифікація структури плівок SiO2 плазмовими обробками,
іонною імплантацією та ультрафіолетовими обробками 62
3.1 Структура модифікованого приповерхневого шару, створеного за допомогою іонного бомбардування плівок Si02 62
3.2. Дослідження впливу УФ відпалу радіаційних пошкоджень в Si02 плівках .77
3.3.Дослідження впливу ВЧ-плазмових обробок на властивості
плівок SiO2 . 82
3.4. Дослідження модифікації властивостей плівок SiO2 іонною імплантацією 86
3.5. Дослідження впливу радіаційних обробок та ультрафіолетового опромінення на оптичні властивості алмазоподібних вуглецевих плівок. 89
Висновки до розділу 3 94
Розділ 4. Оптимізація технології виробництва та покращення оптичних елементів на основі GaAs95
4.1. Покращення оптичного пропускання кристалів напівізолюючого GaAs в інфрачервоній області спектру за рахунок плазмових обробок і осадження алмазоподібних вуглецевих плівок. 95
4.2. Вплив γ- опромінення на властивості кристалів напівізолюючого
GaAs та структур АВП—GaAs 106
4.2.1. Вплив γ- опромінення на властивості структур АВП—GaAs 106
Висновки до розділу 4 113
Розділ 5. Властивості сонячних елементів на основі мультикристалічного кремнію в умовах концентрованого опромінення та під дією проникаючої радіації 114
5.1. Покращення ефективності сонячних елементів на основі мультикристалічного кремнію в умовах концентрованого опромінення 114
5.2. Підвищення деградаційної стійкості сонячних елементів на
основі мультикристалічного кремнію за рахунок осадження
алмазоподібних вуглецевих плівок118
5.2.1. Вплив протонного опромінення на характеристики структур алмазоподібна вуглецева плівка сонячний елемент на основі кремнію 118

5.2.2. Метод покращення деградаційної стійкості кремнієвих сонячних елементів до дії гамма опромінення 120
Висновки до розділу 5 122
ВИСНОВКИ 123
СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ 125
ДОДАТКИ 141

a-C:H

аморфна вуглецева плівка

a-C:H:N

аморфна вуглецева плівка, що містить азот

Eg, Eopt

Оптична ширина забороненої зони

Iкз

Струм короткого замикання

ID/IG

співвідношення інтенсивностей «розорієнтовної» (D) та «графітової» (G) смуг в спектрах КРС

n

показник заломлення

k

коефіцієнт екстинкції

Uхх

Напруга холостого ходу

АВП

Алмазоподібна вуглецева плівка

АСМ

атомно-силова мікроскопія

ВАХ

Вольт-амперна характеристика

ВЧ

високочастотний

НВЧ

надвисокочастотний

ІЧ

Інфрачервоний

к.к.д., h

коефіцієнт корисної дії

КРС

комбінаційне розсіювання світла

СВАХ

Світлова вольт-амперна характеристика

СЕ

сонячний елемент

УФ

Ультрафіолетовий

ФЛ

фотолюмінесценція

ВСТУП

Актуальність теми. Розвиток сучасної електронної техніки, мікро- та наноелектроніки, сонячної енергетики і ІЧ-оптики неможливий без використання напівпровідникових кристалів та діелектричних плівок з покращеними експлуатаційними характеристиками та деградаційною стійкістю. Саме тому розробка технологій отримання нових матеріалів, або технологій спрямованих на покращення властивостей існуючих, є одним з найважливіших пріоритетів сучасної науки і техніки.
Серед розмаїття сучасних напівпровідникових матеріалів особливе місце займають кремній і матеріали АІІІ ВV, зокрема арсенід галію. Вони є найпоширенішими при виробництві мікро- та наноелектронних приладів, приладів СВЧ електроніки та напівпровідникової сонячної енергетики, елементів ІЧ оптики. На відміну від кремнію, дослідженого дуже ретельно і всебічно, ситуація з GaAs є набагато складнішою. Це особливо стосується кристалів напівізолюючого GaAs, властивості якого суттєво залежать не тільки від умов отримання, але і від подальших технологічних обробок, які можуть стимулювати процеси релаксації механічних напружень в матеріалі, зміну його дефектної структури і, в результаті, оптичних властивостей. Останнє є особливо критичним при використанні GaAs при виготовленні елементів ІЧ оптики і обумовлює важливість і актуальність робіт, спрямованих на покращення як оптичних властивостей, так і деградаційної стійкості таких елементів. Перспективними для розв’язання цієї задачі є застосування АВП та різних обробок вплив яких на властивості GaAs на момент постановки даної роботи був практично не досліджений.
Слід зазначити, що АВП також є дуже перспективними для застосування в якості просвітлюючих і захисних покриттів для СЕ на основі кремнію. Однак як властивості власне АВП, так і СЕ з їх використанням в екстремальних умовах (радіаційне опромінення, іонна імплантація, опромінення концентрованим сонячним світлом) дотепер були досліджені недостатньо. І навіть такі поширені об’єкти як плівки SiO2 після дії на них плазмових, іонно-імплантаційних обробок з наступним опроміненням світлом ультрафіолетового діапазону практично не досліджувались. Все зазначене обумовлює актуальність даної роботи і визначає її тему.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами.
Задачі роботи і її зміст відповідають схваленим Президією НАН України планам наукових досліджень Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. Основні результати роботи отримані в рамках виконання наступних тем:
- держбюджетна тема Фізичні та фізико-технологічні аспекти створення і характеризації напівпровідникових матеріалів і функціонування структур сучасної електроніки ” (2007-2011 рр, постанова Бюро ВФА НАНУ від 19.12.2006 р, протокол № 10, № держреєстрації 0107U002258).
- держбюджетна тема Розробка нових принципів, методів і засобів одержання, дослідження і характеризації напівпровідникових матеріалів і структур, створення елементної бази перспективної напівпровідникової електронної техніки, в т.ч. на основі нових фізичних явищ ” (2009-2011 рр., постанова Бюро ВФА НАНУ від 23.09.2008 р, протокол № 6, № держреєстрації 0108U010880).
- проект "Розроблення та вдосконалення методів виготовлення напівпровідникових фотовольтаїчних приладів і створення технології та обладнання для промислової реалізації" відповідно до Державної цільової науково-технічної програми «Створення хіміко-металургійної галузі виробництва чистого кремнію протягом 2009-2012 років», (затвердженої постановою Кабінету Міністрів України від 28.10.09 №1173, відповідно до розпорядження Президії НАН України від 15.04.11 №265, № держреєстрації 0111U606412).
- НДР «Розроблення технології пасивації фронтальної поверхні діодних комірок та технології осадження просвітлюючих покриттів», ДР №477-2, № держреєстрації 0111U010376С).
- НДР «Виготовлення експериментальних зразків наноструктурованих шарів BN та AlN на різних підкладках. Комплексні дослідження фізико-хімічних властивостей отриманих захисних покриттів на кремнієвих підкладках» відповідно до Державної цільової науково-технічної програми «Нанотехнології та наноматеріали» на 2010-2014 роки», затвердженої постановою Кабінету Міністрів України від 28.10.09 №1231, відповідно до розпорядження Президії НАН України від 17.02.11. №102, № держреєстрації 0111U002622).
Метою дисертаційної роботи була розробка технологій покращення експлуатаційних характеристик і деградаційної стійкості кремнієвих сонячних елементів та елементів ІЧ оптики на основі GaAs завдяки модифікації властивостей кристалів і плівок активними обробками.
Об’єктом дослідження виступали кристали напівізолюючого GaAs, плівки SiO2, алмазоподібні вуглецеві плівки та сонячні елементи на основі кремнію.
Предметом дослідження були оптичні властивості плівок та напівізолюючого GaAs, фотоелектричні властивості сонячних елементів на основі кремнію, механізми покращення деградаційної стійкості кремнієвих сонячних елементів і елементів ІЧ оптики на основі GaAs.
Методи дослідження. Для оцінки знаку і рівня механічних напружень в GaAs використовувався метод комбінаційного розсіяння світла (КРС). Проводилось вимірювання та аналіз спектрів оптичного пропускання плівок в видимому та ближньому ультрафіолетовому діапазонах. Оптичні константи плівок визначались методом лазерної та спектральної еліпсометрії. Рельєф поверхні, товщина плівок визначалися методом профілометрії, атомно-силової мікроскопії, лазерної еліпсометрії. Метод Фур’є-спектроскопії застосовувався в ІЧ діапазоні для визначення пропускання досліджуваних структур. Параметри кремнієвих сонячних елементів визначались з вимірювання їх вольт-амперних характеристик.

Відповідно до поставленої мети в роботі вирішувалися такі наукові завдання:
1. Розроблення технології покращення властивостей оптичних елементів на основі напівізолюючого GaAs за рахунок осадження просвітлюючих і захисних АВП.
2. Встановлення механізмів впливу обробок на оптичні властивості GaAs в ІЧ області спектру.
3. Розроблення системи автоматизації технологічного процесу газодетонаційного осадження функціональних покриттів.
4. Дослідження оптичних властивостей і встановлення механізму модифікації АВП та плівок SiO2 під дією плазмових, іонно-імплантаційних обробок та ультрафіолетового опромінення.
5. Запропонування та дослідження технологічних підходів для покращення характеристик СЕ на основі мультикристалічного кремнію за рахунок осадження захисних, пасивуючих та просвітлюючих плівок та застосування концентраторних фотовольтаїчних систем.
Наукова новизна одержаних результатів:
- Вдосконалено технологію покращення оптичного пропускання напівізолюючого GaAs в ІЧ області спектру за рахунок осадження АВП, яка, на відміну від існуючих, дозволяє збільшувати пропускання в широкій спектральній області та інтегральне пропускання в області просвітлення.
- Вперше виявлено немонотонний характер зміни оптичного пропускання кристалів GaAs з просвітлюючими АВП при збільшенні дози γопромінення, ефект покращення оптичного пропускання таких елементів ІЧоптики при великих дозах опромінення і встановлено механізм даного ефекту.
- Вперше встановлено, що одночасне використання просвітлюючих АВП та концентрованого сонячного випромінювання дозволяє покращити к.к.д. СЕ на основі мультикристалічного кремнію більш ніж в 1,5 рази.
- Встановлено механізми зміни оптичних і структурних властивостей АВП та плівок SiO2 під дією іонно-плазмових обробок та ультрафіолетового опромінення, що дозволило контрольованим чином змінювати властивості плівок.
Практичне значення одержаних результатів полягає в тому, що:
- Розроблена в роботі технологія просвітлення кристалів напівізолюючого арсеніду галію дозволяє не тільки покращити оптичні властивості оптичних елементів в ІЧ області спектру, а й покращити їх стабільність при роботі в умовах дії проникаючої радіації.
- Запропонована технологія покращення характеристик сонячних елементів на основі мультикристалічного кремнію за рахунок осадження просвітлюючих, пасивуючих АВП та використання концентрованого сонячного світла дозволяє підвищити ефективність СЕ низької якості до комерційно придатного рівня.
- Автоматизована система управління роботою установки газо-детонаційного осадження функціональних покриттів, розроблена в роботі, може успішно використовуватися при промисловому виробництві концентраторних систем для забезпечення оптимального температурного режиму роботи кремнієвих СЕ.
- Результати роботи використані при виконанні теми «Розроблення високоефективних гібридних сонячних елементів на основі мультикристалічного кремнію та органічних нанокомпозитів» за державним замовленням на 20112012 рр. Державного агенства з питань науки, інновацій та інформатизації (акт від 01.10.2012 р.).
Особистий внесок здобувача. Робота виконана в лабораторії нетрадиційних та відновлюваних джерел енергії ІФН ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. Основні результати, отримані в роботі, належать особисто авторові і є його особистим науковим внеском.
Автор виконав автоматизацію системи управління роботою установки газодетонаційного осадження покриттів [3], приймав участь в розробці концентраторної фотовольтаїчної системи [3], особисто виконував плазмові, ВЧ та термічні обробки кристалів напівізолюючого GaAs та плівок SiO2 [1, 7-13, 20], досліджував оптичні властивості АВП, плівок SiO2 та кристалів GaAs методами еліпсометрії та ІЧ спектроскопії [1, 2, 4, 7-13, 14, 18, 20-23], виконував дослідження характеристик розроблених фотоелектричних модулів [5, 6, 19], проводив аналіз експериментальних даних [1-23], приймав участь в обговоренні отриманих результатів, підготовці і написанні всіх наукових робіт.
Апробація результатів дисертації. Основні положення та результати дисертації доповідалися :
XIІI Міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок і наноструктур Івано-Франківськ, 16-21 травня 2011 р.;
I Міжнародна науково-практична конференція «Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка» (НМІТФ-2011), 5-7 травня 2011 р., м. Кременчук;
8th International Conference on Nanosciences & Nanotechnologies (NN11), 12-15 July 2011, Thessaloniki, Greece;
World Renewable Energy Congress 2011 Sweden, 8-11 May 2011, Linköping, Sweden;
ІV Міжнародна наукова конференція «Функціональна база наноелектроніки» − Кацивелі, 30 вересня − 3 жовтня 2011 р.;
V Українська наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-5 − Ужгород, 9-15 жовтня 2011 р.
V Міжнародна наукова конференція «Функціональна база наноелектроніки» − Кацивелі, 30 вересня − 5 жовтня 2012 р.
Публікації. За матеріалами дисертації опубліковано 23 роботи, в тому числі 14 робіт в провідних фахових журналах, 9 в матеріалах конференцій.

Структура та обсяг дисертації. Дисертаційна робота складається з вступу, 5 розділів, висновків з загальною кількістю сторінок 140, містить 57 рисунків, 14 таблиць, посилання на 144 літературних джерел, додатки на 6 сторінках.

Список литературы

ВИСНОВКИ
1. Досліджено вплив іонно-плазмових, іонно-імплантаційних та УФобробок на плівки SiO2 та АВП, та вивчено деградаційну стійкість плівок до дії різних обробок і встановлено механізми зміни оптичних і структурних властивостей АВП та плівок SiO2 під дією іонно плазмових обробок та ультрафіолетового опромінення. Показано, що після іонної обробки спостерігається вихід кисню з вузлів гратки та, частково, з плівки, структурна перебудова модифікованого шару і зміна його стехіометрії до характерної для SiOx, де х залежить від дози обробки. В той же час, УФ опромінення обробленої плівки призводить до відновлення її структури, оскільки УФ обробка стимулює анігіляцію вакансій кисню з міжвузловими атомами кисню, іонізацію кисню повітря та його дифузію в приповерхневу область плівки і відновлення стехіометрії плівки.
2. Розроблено автоматизовану систему управління установкою технологічного процесу газодетонаційного осадження функціональних покриттів, яку використано для формування ізолюючого буферного шару Al2O3 з високою теплопровідністю на металевому радіаторі, що одночасно забезпечує електричну ізоляцію СЕ від радіатора і його ефективне охолодження завдяки достатньо високому коефіцієнту теплопровідності шару.
3. Розроблено технологію та визначено умови найкращого просвітлення напівізолюючого GaAs та кремнієвих СЕ при використанні АВП. Визначено параметри технологічного процесу осадження АВП, при яких можна отримати плівки з показником заломлення від 1,54 до 2,15, придатні для використання в якості захисних і просвітлюючих покриттів для сонячних елементів і елементів ІЧ оптики.
4. Вперше показано, що деградаційна стійкість оптичних елементів на основі кристалів напівізолюючого GaAs до дії gопромінення може бути покращена завдяки осадженню просвітлюючих і захисних АВП. Показано, що пропускання структури АВПGaAs після дії gопромінення може навіть перевищувати пропускання вихідної (неопроміненої) структури. Даний ефект обумовлений як зміною властивостей кристалу GaAs, так і структурною модифікацією АВП під дією gквантів .
5. Встановлено, що одночасне застосування просвітлюючих алмазоподібних вуглецевих плівок та розробленої в роботі фасеточної концентраторної системи дозволяє при рівнях концентрації 25 сонць збільшити к.к.д. СЕ на основі мультикристалічного кремнію в 1,5 рази, що дає можливість практичного використання навіть СЕ низької якості.
6. Встановлено, що ефект покращення деградаційної стійкості СЕ на основі кремнію до дії gопромінення обумовлений наявністю великої кількості водню в АВП, використаних для просвітлення поверхні кремнієвих СЕ, та пасивацією центрів безвипромінювальної рекомбінації (обірваних зв’язків в СЕ) воднем, що вивільняється з плівки під дією gквантів і дифундує вглиб СЕ.

СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ

1. Литовченко В. Г. Основы физики микроэлектронных систем металл диэлектрик-полупроводник. / В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. К.: Наукова думка, 1978 316 с.
2. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. / Колтун М.М. М.: Наука, 1985. 280 с.
3. Оптические свойства полупроводников. / Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. К.: Наукова думка, 1987. 608 с.
4. Weinreich W.A. Antireflection Films on GaAs Electroluminescent Diodes./ W.A. Weinreich // J. Electrochem. Soc. 1963.V.110, N11.P.11221126.
5. Романюк Б.М. Фотолюмінесценція нанокластерів в шарах SiO2, імплантованих іонами кремнію та вуглецю / Б.М.Романюк, В.Г. Попов, В.П. Мельник [ та ін.] // ОПТ .2007.Т.42. С.96102.
6. Daldosso N. Silicon nanocrystal formation in annealed silicon-rich silicon oxide films / N. Daldosso, G. Das, S. Larcheri [et al.] // J. Appl. Phys. 2007. V.101. P. 113510 (17).
7. Arshak K. Gamma Radiation Nose System Based on In2O3/SiO Thick-Film Sensors / K. Arshak, O. Korostynska // IEEE Sensor Jornal. 2006. V. 6, N 2.P.380384.
8. Arshak A. Review of Various Gamma Radiation Dosimeters Based on Thin and Thick Films of Metal Oxides and Polymer Materials / A. Arshak, K. Arshak, O. Korostynska [et al.] // Nuclear Science Symposium Conference Record. 2003 IEEE , 1925 Oct., 2003 : Conference Publications. V.1. P.7882.
9. Fritzsche C.R. Ion implantation and annealing effects in SiO2 lauers on silicon studied by optical measurements / C.R. Fritzsche, W. Rothemund // J. Electrochem. Soc. 1972.V.119, N9.P.12431248.
10. EerNisse P. Compaction of ion-implanted fused silica / P. EerNisse // J. Appl. Phys.1974. V.45. P.167174.
11. Presby H.M. Atomic-displacement mechanism in ion-bombarded semiconductors and insulators / H. M. Presby, W.'L. Brown // Appl. Phys. Lett. 1974. V.24. P.511513.
12. Акимченко И.П. Изменение оптических и химических свойств окислов кремния и германия в результате структурных превращений, вызванных ионной бомбардировкой / И.П. Акимченко, В.В. Галкин, В.В. Краснопевцев [и др.] // Микроэлектроника.1973.Т.2, №5.С.166172.
13. Ашкинадзе Н.В. Исследование структурних и электрофизических свойств двоокиси кремния, имплантированной ионами бора и фосфора./ Н.В. Ашкинадзе, Л.К. Думиш, В.В. Дубро // Электр.Техника, сер. Полупров. приборы.1975. №5. С.310.
14. O'Keeffe T.W. Fabrication of planar silicon tran-sistors without photoresist / T. W. O'Keeffe, R.M. Hardy // Sol. St. Electron. 1968. V.11.P.261265.
15. Сопов О.В. Влияние ионной бомбардировки бором и фосфором на скорость травления термического окисла./ О.В. Сопов, Л.И. Абрамова, Р.Р. Резвый [и др.] // Электр. Техника, сер. Полупров. приборы. 1971. №4. C.112113.
16. Герасименко Н.Н. Изменение оптических свойств пленок нитрида, оксида и окисла кремния при облучении ионами. / Н.Н. Герасименко, Т.И. Ковалевская, В.Г. Панькин [и др.] // ЖПС.1977.T.26, №1.C.164166.
17. Валиев К.А. О природе дефектов в ионно-облученных аморфных пленках SiO2, обуславливающих увеличение скорости жидкостного травления / К.А. Валиев, В.А. Данилов, Н.А. Луговой [и др.] // Поперхность. Физика, химия,механика. 1986. №10. С.8792.
18. EerNisse E. P. Introduction rates and annealing of defects in ion-implanted SiO2 layers on Si / E. P. EerNisse, C. B. Norris // J. Appl. Phys. 1974.V.45. P. 51965205.
19. Thomas J.H. Ion bombardment induced changes in silicon diocside surface composition studied by x-ray photoelectron spectroscopy / J.H. Thomas, S. Hofman // J. Vac. Technol. A.1985. V.3, N5.P.19211928.
20. Литовченко В.Г. О структуре поверхности диэлектрических слоев в системах ДП / В.Г. Литовченко, В.П. Костылев // Полупроводниковые пленки и слоистые структуры.К.: Наукова думка.1977.C.6773.
21. Lisovskii I.P. Structure of the modified surface layer formed by ion bombardment of SiO2 films / I.P. Lisovskii, V.G. Litovchenko, V.B. Lozinskii
[et al.] // Thin Solid Films.1994.V.247. P. 264270.
22. Лисовский И.П. Исследование структурной конфигурации и химического состава диэлектрических пленок методом ИК-спектроскопии / И.П. Лисовский // Оптоэл. и полуп.техника. 1983. №26. C. 93111.
23. Лисовский И.П. Изучение структурного состояния кислорода в пленках SiOх методом ИК-спектроскопии / И.П Лисовский, В.Б Лозинский, С.И Фролов // Укр. физ. журн. 1993.Т.38, № 5. С. 745—752.
24. Bondarenko G.G. Plasma and injection modification of the gate dielectric in MOS structures / G.G. Bondarenko, V.V. Andreev, V.M. Maslovsky, A.A. Stolyarov, V.E. Drach // Thin Solid Films.2003.V.427. P. 377380.
25. Jolley F. Surface modifications of crystalline Sio2 and Al2O3 induced by energetic heavy ions // F. Jolley, J.P. Duraud, C. Noguera [et al.] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms.1990.V.46. P. 125127.
26. Arnoldbik W. M. High-energy ion-beam-induced phase separation in SiOx films / W. M. Arnoldbik, N. Tomozeiu, E. D. van Hattum [et al.] // Phys. Rev.2005. B 71.P.125329 [7 pages].
27. Heo J. UV-O3 treatment effects on structural changes of low-k thin films. / J. Heo, D. Eom, H.J. Kim // Microelectronic Engineering. 2007. V.84. P. 2188 2191.
28. Tomozeiu N. Effects of UV photon irradiation on SiOx (0 < x <2) structural properties / N. Tomozeiu // Applied Surface Science .2006. V.253.P.376380.
29. Rosli1 N. Structural and Optical Properties of SiOx/Au/SiOx Layer Films on the Effect of Rapid Thermal Annealing Process / N. Rosli1, K. Chan, S.A. Rahman [et al.] // International J. of Fundam.Phys.Scie.(IJFPS).2011.V.1.N4. P. 7477.
30. Yang D.-Q. The surface modification of nanoporous SiOx thin films with a monofunctional organosilane ./ D.-Q. Yang, M. Meunier, E. Sacher // Applied Surface Science. 2005.V. 252.P. 11971201.
31. Barranco A. Electronic state characterization of SiOx thin films prepared by evaporation./ A. Barranco, F. Yubero. J. P. Espinos [et al.] // J. Appl. Phys. 2005. V.97. P. 113714 [8 pages]
32. Hohl A. An interface clusters mixture model for the structure of amorphous silicon monoxide (SiO)./ A. Hohl, T. Wieder, P.A. van Aken [et al.] // Journal of Non-Crystalline Solids.2003.V.320.P. 255280.
33. Robertson J. Diamond-like amorphous carbon / J.Robertson // Materials science and engineering. 2002. V.37. P.129281.
34. Klyui N.I. Improvement of solar cells efficiency and radiation stability by deposition of diamond-like carbon films./ N.I. Klyui, A.V. Makarov, V.B. Lozinskii [et al.] // World Renewable Energy Congress 2011 Sweden, 811 May 2011, Linköping, Sweden. P. 27872794.
35. Allon-Alaluf M. The influence of diamond-like carbon films on the properties of silicon solar cells./ M. Allon-Alaluf, J. Appelbaum, M. Maharizi
[et al.] // Thin Sol. Films. 1997. V.303, N8. P. 273276.
36. Klyui N.I Silicon solar cells with antireflection diamond-like carbon and silicon carbide films./ N.I. Klyui, V.G. Litovchenko, A.G. Rozhin [et al.] // Solar Ener. Mater.& Solar Cells 2002.V.72. P.343351.
37. Klyui N.I. Solar Cells Based upon Multicrystalline Si with DLC Antireflection and Passivating Coatings./ N. Klyui, V. Litovchenko, L. Neselevska [et al.] // Ukr. J. of Phys. 2006. V. 51, N 1. P.6165.
38. Раушенбах Г. Справочник по проектированию солнечных батарей. / Раушенбах Г. М. : Энергоатомиздат, 1983. 327 с.
39. Litovchenko V.G. Solar Cells Based on DLC Film - Si Structures for Space Application./ V.G. Litovchenko, N.I. Klyui // Solar Energy Materials & Solar Cells.2001. V. 68, N 1. P. 5570.
40. Hoffman A. Nitrogen implantation into glassy carbon as an attempt to grow a carbon nitride thin film./ A.Hoffman, R.Brener, I.Gouynan [et al.] // Diamond and Related Materials. 1995. N 4.P. 292296.
41. Xin H. Formation of the covalent solid CN compounds by high dose nitrogen implantation into carbon thin films./ H. Xin, W. Xu, X. Shi // Appl. Phys. Lett.1995.V. 66. P. 3290 3291.
42. Franceschini D.F. Structural modifications in a-C:H films doped and implanted with nitrogen./ D.F. Franceschini, C.A. Achete, F.L. Freire [et al.] // Diamond and Related Materials.1993.N 3.P. 8893.
43. Клюй Н.И. Оптические и механические свойства ионно-имплантированных углеродных пленок / Н.И. Клюй, В.Г. Литовченко, С.И. Фролов [ и др.] // Функциональные материалы.1995. T.2, № 4.С. 469474.
44. Jiang X. The study of mechanical properties of a-C:H films by Brilloin scattering and ultralow load indentation./ X. Jiang, J.W. Zou, K. Reichelt [et al.] // J. Appl. Phys.1989. V.66, N 10.P. 47294735.
45. McCulloch D. Ion-beam induced compaction in glassy carbon / D. McCulloch, A. Hoffman, S. Prawer // J. Appl. Phys.1993.V.74. P. 135138.
46. Семенович В.А. Улучшение механических свойств алмазоподобных пленок углерода путем имплантации ионов азота./ В.А. Семенович, Н.И. Клюй, С.Н. Дуб [ и др.] // Сверхтвердые материалы. 1996. №3. С.1121.
47. Klyui N.I. Nitrogen-Doped DLC-Films: Correlation between Optical and Mechanical Properties./ N.I. Klyui, B.N. Romanyuk, V.G. Litovchenko [ et. al.] // Journal of CVD. 1997. V. 5, № 4. P. 310315.
48. Piryatinskii Yu.P. Modification of optical properties of a-C:H and a-C:H:N films subjected to ion implantation and UV treatment./ Yu.P. Piryatinskii, N.I. Klyui, V.A. Semenovich [et. al.] // Molecular Crystals and Liquid Crystals.1998. V.324. P.1924.
49. Artamonov V.V. Microraman and microhardness study of nitrogen implanted diamond-like carbon films./ V. V. Artamonov, M.Ya. Valakh, N.I. Klyui [et al.] // Carbon. 1998.V. 36, N56. P.791794.
50. Artamonov V. Raman spectroscopy and microhardness study of ion-implanted a-C:H-films./ V.Artamonov, N. Klyui, A. Perez-Rodriguez [et al.] // Ceramics International. 2000. V.26. P.2932.
51. Savvides N. Optical constants and associated functions of metastable diamond-like amorphous carbon in the energy 0.5—7.3 Ev / N. Savvides // J. Appl. Phys.1986. V.59, N 12. P. 41334145.
52. Demichelis F. Deposition and characterization of amorphous carbon nitride thin films./ F. Demichelis, X.F. Rong, S. Schreiter [et al.] // Diamond Relat. Mater. 1995. V.4. P.361365.
53. Zhao X.A. Reactive pulsed laser deposition of CN films./ X.A. Zhao, C.W. Ong, Y.C. Tsang [et al.] // Appl. Phys. Lett. 1995.V.66.P. 26522654.
54. Mendoza D. Graphite-like bonding induced in hydrogenated amorphous carbon films with high nitrogen content./ D. Mendoza, J. Auguilar-Hernandez, G Contrares-Puente // Solid State Comm. 1992. V.84, N11. P.10251027.
55. Ионная имплантация и лучевая технология // Под ред. Дж. С. Вильямса и Дж. М. Поута.К. : Наук. думка.1988. 358 с.
56. Kakiuchi H. Property change of diamond-like carbon thin flms due to ion implantation./ H. Kakiuchi, T. Kobayashi, T. Terai // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B.2000.V.166167.P. 415419.
57. Faizrakhmanov I.A. The investigation of optical and electrical properties of N.-implanted amorphous diamond-like carbon (DLC) flms./ I.A. Faizrakhmanov, V.V. Bazarov, V.A. Zhikharev [et al.] // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B.1999.V.148.P. 669672.
58. Mathew S. Structural modifications of diamond like carbon films induced by MeV nitrogen ion irradiation./ S. Mathew, U.M. Bhatta, M. Islam, M. [et al.] // Applied Surface Science.2009. V. 255.P.47964800.
59. Adliene D. Modification of amorphous DLC films induced by MeV photon irradiation./ D. Adliene, J. Laurikaitiene, S. Tamulevicius // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B.2008.V. 266.P. 27882792.
60. Adliene D. Radiation induced changes in amorphous hydrogenated DLC films./ D. Adliene, J. Laurikaitiene, V. Kopustinskas [et al.] // Mater. Sci. Eng. B.2008.V. 152.P. 9195.
61. Sniureviciute M. Stress and strain in DLC films induced by electron bombardment / M. Sniureviciute, J. Laurikaitiene, D. Adliene [et al.] // Vacuum.2009.V. 83.P. S159S161.
62. Liu G. The irradiation studies on diamond-like carbon films./ G. Liu, T. Wang, E. Xie // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B.2002.V. 197.P. 107113.
63. Schnyder B. UV-irradiation induced modification of PDMS films investigated by XPS and spectroscopic ellipsometry./ B. Schnyder, T. Lippert, R. Klotz [et al.] // Surface Science.2003.V.532535.P. 10671071.
64. Meskinis S. Structure, Properties and Applications of Diamond Like Nanocomposite (SiOx Containing DLC) Films: A Review./ S. Meskinis , A. Tamuleviciene // Materials Science (Medziagotyra).2011.V. 17, N 4.P. 358370.
65. Macleod H.A. Thin-film Optical Filters / H.A. Macleod // NewYork: McGraw-Hill,1989.521 c.
66. Оганесян А.С. Однослойные антиотражающие покрытия для солнечных элементов на основе GaAs / А.С. Оганесян // Известия НАН Армении, Физика. 2008. Т.43, №3. С.211215.
67. Wu Chih-Shan Antireflective and Radiation Resistant ZnO Thin Films for the Efficiency Enhancement of GaAs Photovoltaics / Chih-Shan Wu, Jia-Jing Yeh, Pei-Yi Ho [et al.] // J. Electrochem. Soc. 2011. V.158, Issue 3. P. H267H270.
68. Alemu A. Low temperature deposited boron nitride thin films for a robust anti-reflection coating of solar cells / A. Alemu, A. Freundlich, N. Badi [et al.] // Solar Energy Materials & Solar Cells.2010. V.94. P.921923.
69. Enke K. Hard carbon layers for wear protection and antireflection purposes of infrared devices / Knut Enke // Applied Optics.1985. V. 24, Issue 4. P. 508512.
70. Zhang G.F. Studies on diamondlike carbon films for antireflection coatings of infrared optical materials / G.F. Zhang, L.J. Guo, Z.T. Liu [et al.] // J. Appl. Phys.1994. V.76. C.705709.
71. Klibanov L. Diamond-like carbon thin films as antireflective and protective coatings of GaAs elements and devices. // L. Klibanov, N. Croitoru, A. Seidman [et al.] // Opt. Eng. 2000. V.39. P. 989 992.
72. Hideo W. Anti-Reflection and Diamond-Like-Carbon Coating on Polycrystal Gallium Arsenide / Wada Hideo, Nagashima Mitsuhiro, Nakayama Shigeru [et al.] // Journal of the Japan Society of Infrared Science and Technology.2003. V.12, N 2. P.6068.
73. Mitsuhiro N. Multilayer Infrared Anti-Reflection and Hard Coating on Polycrystal Gallium Arsenide / Nagashima Mitsuhiro, Wada Hideo // IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials. V. 127, Issue 7.P. 375381.
74. Sulzbach F. C. Durable wideband anti-reflection coating for infrared windows / Frank C. Sulzbach // United States Patent N 5510186 , 23 April 1996.
75. Ying X. CVD diamond thin ®lm for IR optics and X-ray optics / Xuantong Ying, Xinmin Xu // Thin Solid Films. 2000. V. 368.P. 297299.
76. Глебов В.Н. Просветляющее покрытие / В.Н. Глебов, А.М. Малютин // Патент на изобретение № 2097801, Опубликован 27 ноября 1997 г.
77. Hrdina Jiri Antireflection coating on GaAs for the range 8-12 um / Jiri Hrdina, Lubomir Jastrabik, Jiri Potmesil [et al.] // Proc. SPIE.1993. V. 1782. P. 291302.
78. Yu B.P. Efficiency Enhancement of GaAs Photovoltaics Employing Antireflective Indium Tin Oxide Nanocolumns / By Peichen Yu, Chia-Hua Chang, Ching-Hua Chiu [et al.] // Adv. Mater. 2009. V. 21.P. 16181621.
79. Huang C.-Y. ZnO Nanoneedles/ZnO:Al Film Stack as an Anti-Reflection Layer for High Efficiency Triple Junction Solar Cell / Chun-Yen Huang, Yi-Chieh Lin, Yan-Kuin Su [et al.] // Electrochem. Solid-State Lett. 2012. V. 15, Issue 6. P. H208H210.
80. Youngjo K. Novel Anti-Reflection Technology for GaAs Single-Junction Solar Cells Using Surface Patterning and Au Nanoparticles / Kim Youngjo, Lam Nguyen Dinh, Kim Kangho [et al.] // Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2012. V. 12, N. 7. P. 54795483.
81. Теория и практика нанесения защитных покрытий / Под ред. Витязь П.А. М.: Наука. 1998. 353 c.
82. Хасуй А. Техника напыления / Пер. с японського. М.: Машиностроение. 1975. 288 с.
83. Хасуй А. Наплавка и напыление. / A.Хасуй, O.Моригаки. М.: Машиностроение. 1985.240 c.
84. Шоршоров М.Х. Физико-химические основы детонационно-газового напыления покрытий / М.Х. Шоршоров, Ю.А. Харламов. М.: Наука. 1978.223 с.
85. Борисов Ю.С Влияние параметров микроплазменного напыления на структуру, фазовый состав и текстуру покрытий из гидроксиапатита / Ю.С. Борисов, А.Л. Борисова, А.Ю. Туник [ и др.] // Автомат. сварка 2008. №4. С.1520
86. Сидоров А.И. Восстановление деталей напылением и наплавкой / А.И. Сидоров. М.: Машиностроение.1987. 418 c.
87. Кречмар Э. Напыление металлов, керамики и пластмасс / Э. Кречмар. М.: Машиностроение.1966. 234 с.
88. Линник В.А. Современная техника газотермического нанесении покрытий / В.А. Линник, П.Ю. Пекшев. М.: Машиностроение. 1985. 85 с.
89. Гуляев А.П. Металловедение / А.П. Гуляев. М.: Металлургия. 1977.272 c.
90. Дубовой А.Н. Технология нанесения газотермических порошковых покрытий / А.Н. Дубовой, Э.Б. Хачатуров, С.А. Лой. Николаев: НКИ. 1986. 43 с.
91. Лисников В.Н. Плазменное напыление покрытий в производстве изделий в электронной технике / В.Н. Лисников, В.С. Украинский, Г.Ф. Богатырев. Саратов: СГУ. 1985. 132 с.
92. Кудинов В.В. Напыление плазмой тугоплавких покрытий / В.В. Кудинов, В.М. Иванов. М.: Машиностроение. 1981. 192 с.
93. Електронний ресурс http://www.lovatoelectric.com/
94. Мхитарян Н.М. Проблемы развития енергетики Украины. Возобновляемая и нетрадиционная енергетика / Н.М. Мхитарян, В.Ф.Мачулин // Наука та інновації. 2006. Т.2, №2. С. 6375.
95. А.В. Наумов А.В. Производство фотоэлектрических преобразователей и рынок кремниевого сырья в 20062010 гг. / А.В. Наумов // Технология конструирования в электронной аппаратуре. 2006. №4. С. 38.
96. Wurfel P. Physics of Solar Cells. From Principles to New Concepts / P. Wurfel // WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA. 2005. N 1. P. 186.
97. Мачулін В Сонячна енергетика: порядок денний для світу й України / В. Мачулін, В. Литовченко, М.Стріха // Вісник Національної Академії наук України. 2011. №5. С. 3039.
98. Андреев В.М. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения / В.М. Андреев, В.А. Грилихес, В.Д. Румянцев. Л.: Наука. 1989. 543 с.
99. Luque A. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering / A. Luque, S Hegedus. John Wiley&Sons. 2003. 1179 p.
100. Barnett A. Milestounes toward 50% efficient solar cell modules / A. Barnett, D. Kirkpatrick, C. Honsberg [et al.] // In: Proc. 22nd European PV-solar energy Conference, Milan, Italy, 3 7, September 2007.
101. Barnett A. From 40.7 to 42.8 % Solar Cell Efficiency./ A. Barnett D. Kirkpatrick, C. Honsberg [et al.]//30 Jujy, 2007. www.renewableenergyworld.com.
102. Schmela M. Super sonic solar market / M. Schmela // PHOTON International.2005. №3. P.6682.

103. Hoffman W. Solar photovoltaic competing in the energy sector. On the road to competitiveness / W. Hoffman // PVSEC Hamburg, September 2011, 8th Europeang PV Indastry Sumit, CEO panel discussion on Sept. 5th, P. 137.
104. Сучасні технології виробництва кремнію та кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії: монографія / [А.П.Оксанич, М.І.Клюй, В.А.Скришевський та ін.]. Кривий Ріг: Мінерал, 2010. 267 c.
105. The Highest Efficiency Solar Products Under the Sun.http://us.sunpowercorp.com/
106. The Drivers of The Levelized Cost of electricity for Utility-Scale Photovoltaics Sunpower Corporation 14 August 2008. P.2731. http://files.shareholder.com/
107. Солнечная энергетика: [учебное пособие для вузов ] / В.И. Виссарионов, Г.В. Дерюгина, В.А. Кузнецова, Н.К. Малинин; под ред. В.И. Виссарионова. М.: Издательский дом МЭИ, 2008. 317 с.
108. Solanki C.S. Solar Photovoltaics: Fundamentals, Tecnologies and Applications / C.S. Solanki // PHI Leaming Private Limited, New Delhi, 2009, P. 479 483.
109. Apicella1 F. Fixed and two-axis tracking PV system: potential solar electricity from conventional and C-PV modules tecnolology / F. Apicella1, A. Sarno, G. Graditi [et al.] // Proceedings of 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference, 15 September 2008, Valencia, Spain, 2008.Р. 34723475.
110. Catarius A. Azimuth-Altitude Dual Axis Solar Tracker / A. Catarius, M. Christiner // www.wpi.edu/Pubs/E-project/Available/ E-project 12171040419 /unrestricted/ Dual_Axis_Tracker_Final_Report.pdf
111. Саченко А.В. Сравнительный анализ эффективности фотопреобразования в кремниевых солнечных элементах при концентрированном освещении для стандартной и тыловой геометрий расположения контактов / А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.П. Костылев [и др.] // ФТП. 2007. T. 41, Bып.10. С.12311240.
112. Кононович М. Э. Общий курс астрономии / М.Э. Кононович, В.И. Мороз. М.: Едиториал УРСС, 2004.544 c.
113. The Stopping and Range of Ions in Matter: [Електронний ресурс] www.srim.org.
114. Кучеров А.П. Метод разложения сложного контура / А.П. Кучеров, С.М. Кочубей // ЖПС.1982.T.24, №1.C.145150.
115. Frolov S. I. Electronic band structure and optical properties of cubic silicon carbide crystals / S.I. Frolov, V.I. Gavrilenko, V.V. Djakin [et al.] // Optoelektronika i Poluprovodnikovaja Tekhnika.1991.V. 20.P.4650.
116. Gavrilenko V.I. Optical properties of grafite-like carbon films / V. I. Gavrilenko, S. I. Frolov, E. V. Pidlisynj // Thin Solid Films. 1990.V.190.P.255263.
117. Ajioka T. Characterization of the implantation tamage in SiO2 with x-ray photoelectron spectroscopy./T Ajioka , S. Ushio // Appl. Phys. Lett. 1986. V.48, N20. P.13981399.
118. Boyd I. W. Deconvolution of tse infrared absorption peak of the vibrational stretching mode of silicon dioxide: evidence for structural order? / I. W. Boyd // Appl. Phys. Lett.1987. V.51,N6. P.418420.
119. Philipp H. R. Optical properties of non-crystalline Si, SiO, SiOx and SiO2 / H. R. Philipp // J. Phys. Chem. Solids. 1971. V.32, N8. P. 19351945.
120. Lehmann A. Optical phonons in smorphous silicon oxides. II. Calculation of phonon spectra and interpretation of the IR transmission of SiOx / A. Lehmann, L. Schumann, K. Hubner // Phys. Stat. Sol. (b).1984.V.121,N2. P. 505511.
121. Шабалов А.Л. Колебательные спектры и структура тонких пленок SiOx / А.Л. Шабалов, М.С. Фельдман, М.З. Баширов // Изв. АН Аз.ССР. 1986.№3.C.7881.
122. Zuther G. Dielektric and optical properties of SiOx / G. Zuther // Phys. Stat. Sol.(a).1980.V.59, N1.P. K109K113.
123. Shabalov A. L. Optical and dielectric properties of thin SiO films of variable composition/ A. L. Shabalov, M. S. Feldman, M. Z. Bashirov // Thin Solid Films. 1983.V.110.P 215224.
124. Фок М.В. О разложении сложных спектров на индивидуальные составляющие / M.В. Фок // ЖПС.1982.T.24, №1.C.145150.
125. Lehmann A . Optical phonons in smorphous silicon oxides. I . Calculation of the density of states and interpretation of LO-TO splittings of smorphous SiO2 / A. Lehmann, L. Schumann, K. Hubney// Phys. Stat. Sol. (b).1983.V.117,N2.P.689698.
126. Vinter G. J. Strategic approaches to drug design. I. An integrated software framework for molecular modeling / G. Vinter, A. Devis, M.R. Saunders // J. Compul.-Aided Mol. Des. 1987.V.1.P.3151.
127. Bell R.J. The structure of vitreous silica: validiti of the random network theori. / R.J. Bell, P. Dean // Phil. Mag.1972. V. 25. P.13811398.
128. Кашкаров П.К. Нетермические процессы в полупроводниках при лазерном облучении./ П.К. Кашкаров, В.Ф. Киселев // Изв. АН СССР, сер. физическая.1986.T.50, №3.C.435439.
129. Lisovskii, I.P. IR spectroscopic investigation of SiO2 film structure / I.P. Lisovskii, V.G. Litovchenko, V.B. Lozinskii [et al.] // Thin Solid Films.1992.V.213. P. 164—169.
130. Bradford A.P. Effect of Ultraviolet Irradiation on the Optical Properties of Silicon Oxide Films./ A.P. Bradford, G. Hass, M. Mac Farland [et al.] // Applied Optics. 1965.V.4.P. 971976.
131. Fiori C. High resolution ultraviolet photoablation of SiOx films / C. Fiori, R. Define// Appl. Phys. Lett. 1985. V.47.P.361362.
132. Bruggeman D. A. Berechnung verschiedener physikalisher Konstanten von heterogen Substanzen / D.A. Bruggeman // Ann. Phys. 1935. V. 24. P. 634664.
133. Венгер Є. Ф. Оптика малих чатинок і дисперсних середовищ / Є.Ф. Венгер, А.В. Гончаренко, М.Л. Дмитрук. К. : Наукова думка, 1999. 348 с.
134. Moss T.S. Semiconductor Opto-Electronics / T.S. Moss, G.J. Burrell, B. Ellis. Butterworth&Co (Publishers) Ltd, 1973. 351 p.
135. Palik E.D. Handbook of Optical Constants in Solids / E.D. Palik. Academic Press, 1985. 274 p.
136. Hilton A.R Precise refractive index measurements of infrared materials / A.R. Hilton // Proc. SPIE. 1990. V.1307. P. 516523.
137. Klyui N.I. Intensive visible photoluminescence of a-C:H:N films. /
N.I. Klyui, Yu.P. Piryatinskii, V.A. Semenovich // Materials Letters. 1998. V.35. P.334338.
138. Nagashima M. Multilayer Infrared Anti-Reflection and Hard Coating on Polycrystal Gallium Arsenide / M. Nagashima, H. Wada // IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials. 2007. V. 127, N.7. P. 375382.
139. Sizov F.F Antireflection Properties of Diamond-like Carbon Films on Cd1-xZnxTe (x~0.04) Single Crystals / F.F. Sizov, N. I. Klyui, A. N. Lukyanov [et al.] // Technical Physics Letters. 2008. V. 34, N.5,P. 377380.
140. Klyui N.I. Influence of Deposition Conditions on the Antireflection Properties of DiamondLike Carbon Films for Si-Based Solar Cells / N.I. Klyui, V.G. Litovchenko, A.N. Lukyanov [et al.] // Technical Physics. 2006. V.51, N.5.P. 654658.
141. Смирнов Л.С. Физические процессы в облученных полупроводниках / Смирнов Л.С. Новосибирск: Наука, 1977. 237 с.
142. Pincık E. Low-energy particle treatment of GaAs surface./ E. Pincık, M. Jergel, C. Falcony [et al.] // Thin Solid Films. 2003. V.433. P.108113.
143. Augelli V. Optical and electrical characterization of n-GaAs surfaces
passivated by N2H2 plasma./ V. Augelli, T. Ligonzo, A. Minafra [et al.] // Journal of Luminescence. 2003. V102103.P. 519524.
144. Surdu-Bob C.C. Surface compositional changes in GaAs subjected to argon plasma treatment./ C.C. Surdu-Bob, J.L. Sullivan, S.O. Saied [et al.] // Applied Surface Science. 2002. V.202.P. 183198.
145. Liu H. Effects of thermal annealing on the electrical properties of large diameter semi-insulating gallium / H. Liu, W. Sun, Q. Hao [et al.] // Journal of alloys and compounds. 2009. V. 475. P.923925.
146. Markov A.V. Comparison of deep levels spectra and electrical properties of GaAs crystals grown by vertical Bridgeman and by liquid encapsulated Czochralski methods / A.V. Markov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov [et al.] // Solid-State Electronics. 2002. V. 46. P. 269277.
147. Ristein J. A comparative analysis of a-C:H by infrared spectroscopy and mass selected thermal effusion. / J. Ristein, R. T. Stief, L. Ley [et al.] // J. Appl. Phys. 1998. V.84. P. 38363847.
148. Мамонтов А.П. Эффект малых доз ионизирующего излучения / Ф.П. Мамонтов, И.П. Чернов. М.: Энергоатомиздат, 2001. 286 с.
149. Klyui N.I. Silicon Multicrystalline Solar Cells Under Concentrated Illumination / N.I. Klyui, V.P.Kostylyov, V.G.Litovchenko [et al.] // 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, 37 September 2007: proceedings. Milano, Italy, 2007. P.14631465.
150. Klyui N.I. Solar cells based upon multicrystalline Si with DLC antireflection and passivating coatings / N.I. Klyui, V.G.Litovchenko, L.V.Neselevska [et al.] // Ukr.J.Phys.2006.V. 51, N 1.P.61 65.
151. Клюй М.І. Мультидзеркальна фасеточна концентраторна установка / М.І. Клюй, А.В. Макаров, В.Б. Лозінський [та ін.] // Прикладная радиоэлектроника 2012.− Т. 11, №3. С. 384389.
152. Клюй М.І. Метрологічні аспекти випробувань фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії / М.І. Клюй, В.П. Костильов, А.В. Макаров // Складні системи і процеси. 2007. № 1. С. 1317.
153. Certificate about attestation of phototransformator and photoelectrical cell testing Center of V.E.Lashkaryov Institute of semiconductor physics of NAS Ukraine [in Ukrainian]
154. Franceschini D.F. Structural modifications in a-C:H films doped and implanted with nitrogen / D.F. Franceschini // Diamond and Related Materials. 1993.V3. P. 8893.
155. Litovchenko V.G. Solar Cells Based on DLC Film Si Structures for Space Application / V.G.Litovchenko, N.I. Klyui // Solar Energy Materials & Solar Cells.2001.V.68, No.1. P. 5570.

156. Клюй М.І. Вплив gопромінення на параметри кремнієвих сонячних елементів / М.І.Клюй, В.П.Костильов, В.Г.Литовченко [та ін.] // Український фізичний журнал. 2007. Т.52, №3. С.245250.