Синтез и свойства теллурида свинца, легированного тулием Дорофеев, Сергей Геннадиевич

Краткое описание

Дорофеев, Сергей Геннадиевич.
Синтез и свойства теллурида свинца, легированного тулием : диссертация ... кандидата химических наук : 02.00.01. - Москва, 2004. - 185 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат химических наук Дорофеев, Сергей Геннадиевич
I. ВВЕДЕНИЕ
II. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
II. 1. Система РЬ - Те
11.2. Система Тш - РЬ
11.3. Система Тш - Те
11.3.1. Фазовая диаграмма и термодинамические свойства фаз в системе Тш-Те
11.3.2. Зонная структура монотеллурида тулия
11.3.3. Зарядовое состояние тулия в TmTe
11.3.4. Синтез теллуридов тулия
11.3.5. Перспективы исследования теллуридов тулия 19 П.4. Система РЬ - Тш - Те
11.4.1. Сведения о фазовой диаграмме системы РЬ - Тш - Те
11.4.2. Свойства фаз в системе РЬ-Тш-Те
11.5. Синтез и свойства монокристаллов легированного теллурида свинца
II.5.1. Особенности реальной структуры кристаллов легированного РЬТе 29 ' II.5.2. Влияние операционных параметров синтеза на реальную структуру кристаллов
11.5.3. Образование пересыщенных твердых растворов при направленной кристаллизации
11.5.4. Сведения о зарядовом состоянии и электрической активности примесей в легированных кристаллах РЬТе
11.6. Выводы из обзора литературы 49 III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
III. 1. Исходные материалы и оборудование
111.2. Синтез фаз в системе Pb-Tm-Te
111.2.1. Синтез монотеллурида тулия
111.2.1.1 Отжиг тулия в парах теллура
111.2.1.2 Гидридный метод
111.2.1.3 Синтез в расплаве бромида натрия 57 III.2.1.4. Синтез в расплаве свинца
111.2.1.5 Высокотемпературный синтез
111.2.1.6 Получение тонких пленок
111.2.2. Синтез ромбоэдрической фазы Tm4Tes
111.2.3. Синтез Тш2Те
111.2.4. Синтез сплавов состава ТшгТе, TmTeus, ТтзТе
111.2.5. Синтез теллурида свинца
111.2.6. Синтез оксотеллурида тулия
111.3. Диагностика фаз
111.3.1. Рентгенофазовый анализ
111.3.2. Измерение магнитной восприимчивости
111.3.3. Дифференциально-термический анализ
111.4. Изучение фазовой диаграммы системы Pb-Tm-Te
111.4.1. Фазовый состав и ДТА образцов в системе Тт-Те
111.4.2. Триангуляция системы Pb-Tm-Te 75 Ш.4.3. Разрез РЬТе - Тт2Те
111.5. Выращивание кристаллов теллурида свинца, легированного тулием
III.5.1. Рост кристаллов из пара
Ш.5.2. Рост кристаллов из расплава
111.6. Исследование монокристаллов 93 III.6.1. Использованные методы исследования
III.6.1.1. Подготовка образцов
111.6.1.2. Определение состава кристаллов
111.6.1.3. Исследование реальной структуры кристаллов
111.6.1.4. Гальваномагнитные исследования
111.6.1.5. Исследование температурной зависимости электропроводности
111.6.1.6. Определение магнитной восприимчивости
111.6.1.7. Исследование околокраевой тонкой структуры спектра рентгеновского поглощения (XANES)
Ш.6.2.Результаты исследования образцов полученных кристаллов
111.6.2.1. Зависимость параметра элементарной ячейки кристаллов от состава
111.6.2.2. Распределение тулия по длине выращенных кристаллов
111.6.2.3. Реальная структура кристаллов
111.6.2.4. Температурная зависимость электрического сопротивления 127 Ш.6.2.5.0пределение зарядового состояния Тш: магнитная восприимчивость и XANES 128 III.6.2.6. Результаты гальваномагнитных исследований