Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex Синятынский, Алексей Алексеевич

Краткое описание

Синятынский, Алексей Алексеевич.
Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1984. - 178 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Синятынский, Алексей Алексеевич
ВВЕДЕНИЕ.
X. ПОЛУЧЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 12 PbS 5е
-1-Х X.
1.1. Физические свойства PbSi-xSex
1.2. Методы получения лазерных структур и эпитакси-альных слоев полупроводников
1.3. Использование метода "горячей стенки" для изготовления эпитаксиальных слоев PbS^Se^.
2. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, СОСТАВ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ РЬ S^Se^ . ИЗГОТОВЛЕНИЕ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ.
2.1. Структура эпитаксиальных слоев.
2.2. Состав эпитаксиальных слоев PbS^Se^
2.3. Электрические свойства
2.4. Формирование лазерных структур методом "горячей стенки".
3. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ РЬ S Se.
1 *"* л Д
3.1. Методика и техника эксперимента.
3.2. Дисперсия показателя преломления Pb51-xSex
3.3. Поглощение на свободных носителях в слоях
PbS^Se,
4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ Pb5fx 5 е.х.
4.1. Введение.
4.2. Методика и техника экспериментального исследования инжекционных лазеров.
4.3. Характеристики инжекционных лазеров с различной структурой.
4.4. Вольт-амперные и вольт-емкостные характеристики лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей.
4.5. Оптическое ограничение в гомоструктурах с контролируемым профилем концентрации носителей.
4.6. Дальнее поле излучения.
4.7. Мощность излучения и дифференциальная квантовая эффективность
4.8. Перестройка частоты излучения и спектры излучения п*-р-р* PbSQ6SSe0Z5 структур.
4.9. Деградация инжекционных лазеров при температурных циклах.
ЗАКЛШЕНЙЕ.