Стовповий Михайло Олексійович. Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GaAs

Краткое описание

Стовповий Михайло Олексійович. Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GaAs: дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / НАН України; Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. - К., 2005. : рис

Стовповий М.О. Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів основі GaAs.Рукопис.
Дисертація на здобуття ученого ступеня кандидата технічних наук за фахом 05.27.06 технологія, обладнання і виробництво електронної техніки. - Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної Академії наук України, Київ, 2005.
Дисертація присвячена розробці та дослідженню термостійких омічних і бар'єрних контактів для НВЧ приладів.
У роботі показано, що системи металізації Au-AuGe та Au-Ti для омічних і бар'єрних контактів відповідно, які широко застосовуються в мікроелектроніці, є термостійкими лише до 350 єС, що пов'язано з дифузійними процесами та міжшаровими взаємодіями в контактах. Запропоновані та досліджені системи металізації Au-TaNx(TiBx)-AuGe і Au-TiNx(TiBx) для омічних і бар'єрних контактів відповідно можуть стабільно працювати при температурах до 550 С без зміни електрофізичних параметрів. Використання таких контактів дозволяє створення напівпровідникових приладів підвищеної надійності.
Проведено дослідження омічних контактів для гетероструктурних (GaAs-AlGaAs) польових транзисторів. Експериментально визначений критерій оптимальності технології і досліджена радіаційна стійкість таких контактів. Запропоновано методику контролю техпроцесу. Показано, що після впливу -радіації у діапазоні доз (2-3)107Р спостерігається поліпшення параметрів омічного контакту таких приладів.

Показано, що ріст плівки титану на реальній поверхні арсеніду галію проходить у два етапи: на першому утворюється тонка (~ 25 Е) плівка монооксида титану, а на другому ріст полікристалічної плівки титану, характерною рисою якої є наявність пор. Пори, що пронизують плівку титану, приводять до низкої термо- і радіаційної стійкості таких контактів
Розроблено технологію отримання термостійких до 550 С омічних і бар'єрних контактів для НВЧ діодів, ПТШ та ІС з використанням антидифузійних шарів TiBx, TiNx, що дозволяє створювати напівпровідникові прилади підвищеної надійності.
Результати проведених досліджень дозволяють оптимізувати технологію омічних контактів НЕМТ на основі GaAs-AlGaAs.
Запропоновано просту методику контролю технологічного процесу омічних контактів НЕМТ.
На основі проведених досліджень визначено діапазон доз опромінення g-квантами Co60- (2-3)107Р, у якому спостерігається зменшення питомого контактного опору омічних контактів до структури GaAs-AlGaAs.