Ткачук Ольга Іванівна Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001)




  • скачать файл:
  • Название:
  • Ткачук Ольга Іванівна Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001)
  • Альтернативное название:
  • Ткачук Ольга Ивановна Квантовохимическое моделирование поверхностных структур Ge на грани Si (0,01) Tkachuk Ol'ga Ivanovna Kvantovokhimicheskoye modelirovaniye poverkhnostnykh struktur Ge na grani Si (0,01)
  • Кол-во страниц:
  • 200
  • ВУЗ:
  • Інституту хімії поверхні ім. О.О. Чуйка
  • Год защиты:
  • 2019
  • Краткое описание:
  • Ткачук Ольга Іванівна, провідний інженер відділу квантової хімії та хімічної фізики наносистем, Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України. Назва дисертації: «Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001)». Шифр та назва спеціальності 02.00.04 фізична хімія. Спецрада Д26.210.01 Інституту хімії поверхні ім.О.О.Чуйка
  • Список литературы:
  • -
  • Стоимость доставки:
  • 200.00 грн


ПОИСК ДИССЕРТАЦИИ, АВТОРЕФЕРАТА ИЛИ СТАТЬИ


Доставка любой диссертации из России и Украины


ПОСЛЕДНИЕ СТАТЬИ И АВТОРЕФЕРАТЫ

ГБУР ЛЮСЯ ВОЛОДИМИРІВНА АДМІНІСТРАТИВНА ВІДПОВІДАЛЬНІСТЬ ЗА ПРАВОПОРУШЕННЯ У СФЕРІ ВИКОРИСТАННЯ ТА ОХОРОНИ ВОДНИХ РЕСУРСІВ УКРАЇНИ
МИШУНЕНКОВА ОЛЬГА ВЛАДИМИРОВНА Взаимосвязь теоретической и практической подготовки бакалавров по направлению «Туризм и рекреация» в Республике Польша»
Ржевский Валентин Сергеевич Комплексное применение низкочастотного переменного электростатического поля и широкополосной электромагнитной терапии в реабилитации больных с гнойно-воспалительными заболеваниями челюстно-лицевой области
Орехов Генрих Васильевич НАУЧНОЕ ОБОСНОВАНИЕ И ТЕХНИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЭФФЕКТА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОАКСИАЛЬНЫХ ЦИРКУЛЯЦИОННЫХ ТЕЧЕНИЙ
СОЛЯНИК Анатолий Иванович МЕТОДОЛОГИЯ И ПРИНЦИПЫ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ САНАТОРНО-КУРОРТНОЙ РЕАБИЛИТАЦИИ НА ОСНОВЕ СИСТЕМЫ МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА