Влияние носителей заряда на релаксацию магнитных ионов в магнитных полупроводниках Виглин, Николай Альфредович

Краткое описание

Виглин, Николай Альфредович.
Влияние носителей заряда на релаксацию магнитных ионов в магнитных полупроводниках : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.11. - Свердловск, 1984. - 110 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Виглин, Николай Альфредович
ВВЕДЕНИЕ.
I. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАГНИТНЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЕиО И Н^Сг^Ьег, (ОБЗОР)-.II
1.1. Основные физические свойства ЕиО.II
1.2. Основные физические свойства Я^Ох З.е^
1.3. Процессы спиновой релаксации в магнитно концентрированных соединениях.
1.4. д. -Фактор в ЕиО и И^Сг^Ъе^.
1.4.1. -фактор в ЕиО.
1.4.2. £ -фактор ъН^Сг^Ье.^.
1.5. Ширина линии магнитного резонанса при ферромагнитном упорядочении.
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.'.
2.1. Измерение электропроводности образцов.
2.2. Методика измерений ЭПР.
2.3. Методика измерений ФМР.
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПР В МОНООКСИДЕ ЕВРОПИЯ.
3.1. Зависимость электропроводности ЕиО от степени -легирования и отклонения состава от стехиометрического.
3.2. Температурная зависимость параметров
ЭПР в ЕиО.
4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПР В СЖЕНОХРОМИТЕ РТУТИ.
4.1. Электропроводность ¿с^ в зависимости от степени легирования и дефектности кристаллических подрешеток.
4.2. Исследование температурной зависимости ширины линии ЭПР
5. ИССЛЕДОВАНИЯ ФМР В СЕЛЕНОХРОМИТЕ РТУТИ.
5.1. Исследования ширины линии ФМР в
5.2. Исследования угловой зависимости резонансного поля ФМР в А^П^е^
ЗАШИЕНИЕ.