Влияние поляризации кристаллов на строение и туннельную рекомбинацию радиационных дефектов Канторович, Лев Нохимович

Краткое описание

Канторович, Лев Нохимович.
Влияние поляризации кристаллов на строение и туннельную рекомбинацию радиационных дефектов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Рига, 1985. - 265 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Канторович, Лев Нохимович
ВВЕДЕНИЕ.
1.УЧЕТ ЭФФЕКТОВ КОРРЕЛЯЦИИ И ПОЛЯРИЗАЦИИ В РАСЧЕТЕ ЭЛЕКТРОННОЙ И ПРОСТРАНСТВЕННОЙ СТРУКТУРЫ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ.
1.1.Расчет поляризации кристалла дефектом с помощью методов классической электростатики.
1.1.1.Рассмотрение безынерционной поляризации кристалла в теории Мотта и Литлтона.
1.1.2.Вычисление инерционной поляризации кристалла полем дефекта в модели жестких ионов.
1.1.3.Совместный учет инерционной и безынерционной поляризации
1.2. Электронная корреляция и поляризация.
1.2.1.Учет корреляции в методах квантовой химии молекул и твердых тел.
1.2.2.Метод разделения на локализованные электронные группы.
1.3.Учет искажения электронной структуры дефектной области кристалла.
1.3.1.Метод резольвентных функций Грина.
1.3.2. Моде ль центральной молекулы.
1.3.3.Молекулярные модели кристаллов с точечными дефектами.
1.4.Выводы по главе.
2.ТЕОРИЯ ВНЕДРЕНИЯ МОЛЕКУЛЯРНОГО КЛАСТЕРА В ПОЛЯРИЗУЮЩУЮСЯ РЕШЕТКУ.
2.1.Помещение кластера в кристалл.
2.1.1.Общие уравнения метода внедренного молекулярного кластера.
2.I.2.Экранировка взаимодействия электронов кластера и изменение их собственной энергии. '
2.1.3.Формулировка общих граничных условий в модели молекулярного кластера.
2.2.Рассмотрение безынерционной поляризации в случае несмещенных из узлов атомов.
2.3.Вычисление инерционной и безынерционной поляризации кристалла.
2.3 Л .Динамика решетки совершенного кристалла.
2.3.2.Общее рассмотрение инерционной поляризации кристалла вне кластера в дипольном приближении.
2.3.3.Вычисление полной поляризации остатка кристалла дефектом.
2.4.Выводы по главе.
3.САМОСОГЛАСОВАННЫЙ УЧЕТ ПОЛЯРИЗАЦИИ КРИСТАЛЛА В КОНТИНУАЛЬНОМ ПРИБЛИЖЕНИИ.
3.1.Общее рассмотрение поляризации ионного кристалла полем точечного дефекта.III
3.I.I.Энергия внедренного кластера в ионном кристалле.III
3.1.2.Энергия дефектного кристалла в начальном и конечном электронных состояниях системы.
3.2.Континуальное приближение при рассмотрении поляризации кристалла.
3.2.1.Континуальное приближение для начального электронного состояния.
3.2.2.Континуальное приближение для конечного электронного состояния.
3.2.3.Общая схема самосогласованного расчета электронной структуры дефекта в кристалле.
3.3.Приближение точечных поляризующих зарядов.
3.3.1.Вычисление поля поляризации.
3.3.2.Вычисление дипольного поля.
3.3.3.Энергия поляризации кристалла в начальном электронном состоянии.
3.3.4.Энергия поляризации кристалла в конечном электронном состоянии.
3.4.Выводы по главе.
4.ВЛИЯНИЕ ПОЛЯРИЗАЦИИ НА ЭЛЕКТРОННУЮ И ПРОСТРАНСТВЕННУЮ
СТРУКТУРУ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ.
4.1.Применимость континуального приближения.
4.1.1.Анионная вакансия в кристалле КС£
4.1.2.Вакансия в КС£ с учетом инерционной поляризации.
4Л.3.Энергия образования вакансии в ионном кристалле.
4.2.Энергия поляризации для ряда точечных дефектов в ионных кристаллах.
4.2Л.Модификация метода ЧПДП и его параметризация.
4.2.2. F и агрегатные центры.
4.2.3.Собетвенные дырочные центры в кристаллах LiF и КСС.
4.3.Туннельная рекомбинация радиационных электронных и дырочных центров в LiF и ксе
4.3.1.Рассмотрение ближайших пар дефектов.
4.3.2.Пары далеких дефектов.
4.4.Моделирование локализации дырки в[/.»] центре в My
4.5.Выводы по главе.