Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках Хамидуллина, Наталья Мугалимовна

Краткое описание

Хамидуллина, Наталья Мугалимовна.
Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1984. - 82 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Хамидуллина, Наталья Мугалимовна
Введение к ШВЕ I . •
ГЛАВА I, Кинетика носителей заряда в легированных невыровненных полупроводниках.• * • • II
§ I. Постановка задачи. Основные формулы • ••••••• II
§ 2. Подвижность в легированных полупроводниках с плотностью состояний £(E.yW. •
§ 3» Подвижность в легированных полупроводниках с гладким случайным полем • ••••••••••••
§ 4. Влияние межуровневой корреляции на величину радиуса экранирования в легированных невырожденных полупроводниках .♦•♦••••••••
Введение к ШВЕ П.
ГЛАВА П. Характеристики собственного случайного поля и кинетика носителей заряда в гидрогенизиро-ванном аморфном кремнии • ••••••••••••
§ I. Постановка задачи. Основные формулы • •••••••
§ 2. Характеристики радиальных функций распределения
В a-Si: Н • •••••••••••••
§ 3. Эффективные заряды связи кремния с водородом
§ 4. Оценка некоторых параметров бинарной корреляционной функции случайного ПОЛЯ В a-Si:H •••••••
§ 5» Оптический "хвост" В a-Si:H,
Выводы.••••••.