Влияние температуры облучения на образование радиационных дефектов в карбиде кремния и деградацию приборов на его основе Давыдовская Клавдия Сергеевна

Краткое описание

Давыдовская, Клавдия Сергеевна.
Влияние температуры облучения на образование радиационных дефектов в карбиде кремния и деградацию приборов на его основе : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11. / Давыдовская Клавдия Сергеевна; [Место защиты: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.02]. - Санкт-Петербург, 2023. - 143 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Давыдовская Клавдия Сергеевна
Введение
1 глава. Литературный обзор
1.1. История карбида кремния и приборов на его основе
1.2. Политипизм карбида кремния
1.3. Свойства карбида кремния, как материала для полупроводниковой электроники
1.4. Дефекты в кристаллической решетке
1.5. Радиационное дефектообразование
1.6. Пороговая энергия дефектообразования
1.7. Скорость удаления носителей заряда
1.8. Дефекты и примеси в 4H-SiC
2 глава. Методика измерений и облучений исследуемых образцов
2.1. Методы измерения концентрации носителей заряда. CV и DLTS
2.2. Описание установки для вольт-фарадных измерений. Измеритель иммитанса E7-14
2.3. Описание установки для DLTS измерений
2.4. Ускоритель электронов РТЭ-1В
2.5. Малогабаритный циклотрон МГЦ-20
3 глава
Введение
3.1. Облучение электронами при комнатной температуре
3.2. Облучение протонами при комнатной температуре
2
3.3. Сравнение радиационной стойкости и Б1С
3.4. Облучение электронами при повышенных температурах
3.5. Облучение протонами при повышенных температурах
3.6. БЬТБ спектры при холодном и горячем облучении электронами
и протонами
3.6.1. БЬТБ спектры после холодного облучения электронами
3.6.2. БЬТБ спектры после холодного облучения протонами
3.6.3. Отжиг в процессе измерения DLTS спектров
3.6.4. БЬТБ спектры после горячего облучения электронами
3.7. Особенности определения скорости удаления носителей заряда при облучении широкозонных полупроводников
Заключение и формулировка положений
Список литературы
Список сокращений и аббревиатур
DLTS - Deep Level Transient Spectroscopy, нестационарная емкостная спектроскопия,
JBS - Junction Barrier Schottky, "контакт Шоттки - p-n-переход",
ВАХ - вольт-амперные характеристики,
ВФХ - вольт-фарадные характеристики,
ГЦ - глубокие центры,
ДФЛ - дефектная фотолюминесценция,
ДЭЯР - двойной электронно-ядерный резонанс,
ДШ - диод Шоттки,
ОПЗ - область пространственного заряда,
ПВА - первично выбитые атомы,
РД - радиационный дефект,
РС - радиационная стойкость,
ЭПР - электронный парамагнитный резонанс.
Введение.