Закономерности роста эпитаксиальных пленок β-SiC на кремнии с нанопористым буферным слоем и исследование их физических свойств Султанов Азрет Оюсович

Краткое описание

Султанов, Азрет Оюсович.
Закономерности роста эпитаксиальных пленок β-SiC на кремнии с нанопористым буферным слоем и исследование их физических свойств : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Султанов Азрет Оюсович; [Место защиты: Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»]. - Москва, 2019. - 127 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Султанов Азрет Оюсович
Введение
Глава 1. Обзор научной литературы
1.1 Постановка задачи
1.2 Кристаллическая структура и основные свойства карбида кремния
1.3 Методы получения эпитаксиальных структур карбида кремния
1.4 Получение эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений на пористых подложках
1.5 Карбидизация подложек монокристаллического кремния
1.6 Буферные слои на основе пористого кремния
Выводы по главе
Глава 2. Физико-технологические особенности получения гетероструктур и формирования мезопористого кремния
2.1 Методика химического осаждения слоев 81С из газовой фазы
2.2 Влияние температуры подложки и процессного давления на рост гетероструктур
2.3 Влияние соотношения атомов ^^/[О в газовой фазе на рост гетероструктур SiC/Si
2.4 Методика получения экспериментальных образцов пористого кремния
Выводы по главе
Глава 3. Моделирование процессов карбидизации пористого кремния
3.1 Процесс карбидизации подложек кремния
3.2 Получение и исследование экспериментальных образцов
3.3 Диффузия Кнудсена
3.4 Механизм карбидизации пористого кремния
Выводы по главе
Глава 4. Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем
4.1 Распределение напряжений в гетероструктурах 3С-81С/81 и 3С-81С/рог-81
4.2 Дислокации несоответствия в напряженных пленках 81С и расчет критической толщины
4.3 Определение величины остаточных напряжений в пленках карбида кремния методом рентгенофазового анализа
4.4 Релаксация напряжений несоответствия пористым слоем
Выводы по главе
Заключение
Литература
Введение