Жидкостная эпитаксия изопериодных Ga Al Sb As/Ga Sb фотодиодных структур Баранов, Алексей Николаевич

Краткое описание

Баранов, Алексей Николаевич.
Жидкостная эпитаксия изопериодных Ga Al Sb As/Ga Sb фотодиодных структур : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 193 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Баранов, Алексей Николаевич
Введение . g
Условные обозначения . Ю
ГЛАВА I. ТВЕРДОЕ РАСТВОРЫ ^xA£xSb^yASy
ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА, ПОЛУЧЕНИЕ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ФОТОПРИЕМНИКОВ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).XI
1.1. Четырехкомпонентные твердые растворы соединений .II
1.2. Свойства твердых растворов
1.3. Перспективность применения твердых растворов Л у A Sy для создания лавинных фотодиодов (ЛЩЦ);.
1.3.1. Характеристики ЛФД и их связь со свойствами материала
1.3.2. Особенности ударной ионизации в твердых растворах ^^Ai^Sb^y ASy
1.4. Использование твердых растворов
Ga^xAfySbj.yASy для создания ЛФД.
1.5. Использование варизонных полупроводников в фотоэлектрических приборах
1.6. Жидкостная эпитаксия твердых растворов G«<xA£xSb,yASy
1.6.1. Жидкостная эпитаксия изопериодных структур Qcx^AC^Sb^yASy/CaSb.
1.6.2. Жидкостная эпитаксия варизонных полупроводников
Выводы.
Постановка задачи
ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО РАВНОВЕСИЯ В
СИСТЕМЕ Ga-Ae-Sb-As.
2.1. Фазовая диаграмма Ga-Ag-Sb-Ae.
2.1.1. Предварительные замечания
2.1.2. Расчет фазовой диаграммы Ga-A£-Sb-As.
2.2. Влияние различия химического состава подложки и кристаллизуемого слоя на фазовое равновесие при жидкостной эпитаксии
2.2.1. Предварительные замечания
2.2.2. Термодинамический анализ устойчивости подложек GaSb в расплавах Gct-Ai-Sb*
2.2.3. Взаимодействие насыщенных расплавов с твердой фазой в системе Get -Ав-&Ь.
2.3. Влияние несоответствия периодов решетки при жидкостной эпитаксии на фазовое равновесие
2.3.1. Предварительные замечания
2.3.2. Эффект стабилизации состава жидкой фазы - экспериментальные данные
2.3.3. Эффект стабилизации состава жидкой фазы - термодинамический анализ
Выводы.
ГЛАВА 3. ЖИДКОСТНАЯ ЭПИТАКСИЯ И30ПЕРИ0ДНЫХ
СТРУКТУР Ga^A^Sb^yASy.
3.1. Экспериментальная установка.
3.2. Исходные материалы и их обработка.
3.3. Методики определения химического состава и периода решетки эпитаксиальных слоев
- Z,
3.4. Необходимость согласования периодов решетки в эпитаксиальных структурах
Ga4-XAWyAs y/G<*Sb.
3.5. Изопериодный разрез фазовой диаграммы
Ga-i46~Sb~As для подложки GaSb.
3.6. Получение изопериодных структур Gfl/^/A^Sb^ydSy/GaSb методом охлаждения.
3.6.1. Кривые кристаллизации - расчет
3.6.2. Мышьяк в Ga^^Sb^yylSy/GaSb: коэффициент сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев -эксперимент.
3.6.3. Получение изопериодных GQjxAtxSbjyASy/GaSb гетероструктур
3.7. Получение изопериодных варизонных структур (ИПВС) Goi^AC^Sb^yASy/GaSb методом изотермического смешивания расплавов
3.8. Легирование эпитаксиальных слоев Gffy^SbMs) 120 Выводы.
ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИЗОПЕРИОДНЫХ Oa^xAixSb^yASy/GaSb р-п СТРУКТУР.
4.1. Объекты исследования.
4.2. Вольт-амперные характеристики изопериодных СаА &SbAs/C<xSb р-п структур.
4.3. Фотоэлектрические свойства изопериодных GaAZSbAs/GaSb р-п структур.
4.3.1. Методика измерений
4.3.2. Однородность лавинного умножения в фотодиодах на основе QaAiSbhs.
4.3.3. Фотоэлектрические свойства ЛЩЦ на основе изопериодных р-п структур.
4.4. Лавинные GcxAtSbAs фотодиоды - проблемы и перспективы.
4.4.1. Проблема инверсионного слоя
4.4.2. Проблема природных акцепторов . 152 Выводы.