Атомно-слоевое осаждение и свойства сегнетоэлектрических структур на основе легированных лантаном HfO2 и Hf0,5Zr0,5O2 Козодаев Максим Геннадьевич

Короткий опис

Козодаев, Максим Геннадьевич.
Атомно-слоевое осаждение и свойства сегнетоэлектрических структур на основе легированных лантаном HfO₂ и Hf₀,₅ Zr₀,₅O₂ : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Козодаев Максим Геннадьевич; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»]. - Долгопрудный, 2022. - 139 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Козодаев Максим Геннадьевич
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. СВОЙСТВА СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-МЕТАЛЛ НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЁНОК ЛЕГИРОВАННОГО ОКСИДА ГАФНИЯ
1.1 Сегнетоэлектричество в тонких плёнках на основе оксида гафния
1.2 Подходы к получению металлических слоёв для сегнетоэлектрических МДМ-структур методом атомно-слоевого осаждения
ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ 1. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК И МДМ-СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ
2.1 Формирование тонкопленочных слоев методом атомно-слоевого осаждения
2.2 Элементно-химический анализ материалов методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
2.3 Исследования электронных свойств тонких плёнок и МДМ структур на их основе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 3. ПОЛУЧЕНИЕ МЕТОДОМ АСО ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ПЛЁНОК НИТРИДА ТИТАНА И РУТЕНИЯ/ОКСИДА РУТЕНИЯ В КАЧЕСТВЕ ЭЛЕКТРОДОВ МДМ-СТРУКТУР
3.1 Структурно-химические и электрические свойства плёнок Ru/RuO2, получаемых методом радикало-стимулированного АСО
3.2 Структурно-химические и электрические свойства плёнок ^^ получаемых методом радикало-стимулированного АСО
ГЛАВА 4. СТРУКТУРНЫЕ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ ЛАНТАНОМ ПЛЁНОК НЮ2 и Шо^ГО,502, СФОРМИРОВАННЫХ МЕТОДОМ АСО
4.1 Зависимость структурных и сегнетоэлектрических свойств плёнок (La2Oз)0,0l(HfO2)0,99 и (La2Oз)o,ol(Hfo,5Zro,5O2)o,99 от температуры быстрого термического отжига
4.2 Зависимость структурных и сегнетоэлектрических свойств плёнок (La2Oз)x(Hfo,5Zro,5O2)l-x от их стехиометрии
4.3 Особенности использования сегнетоэлектрических плёнок (Ьа20з)х(Н0^Г0,502)1-х для устройств энергонезависимой памяти
4.4 Применение плёнок (Ьа203)х(Н0,57г0;502)1-х в качестве
функционального слоя энергозапасающих устройств
ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ВВЕДЕНИЕ