Челюбеєв Віктор Миколайович. Вплив контактних неоднорідностей на електричні характеристики діодів Ганна

Короткий опис

Челюбеєв Віктор Миколайович. Вплив контактних неоднорідностей на електричні характеристики діодів Ганна : Дис... канд. наук: 05.27.01 2002

Челюбеєв В.М. Вплив контактних неоднорідностей на електричні характеристики діодів Ганна. - Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.01 - твердотільна електроніка. - Національний технічний університет України КПІ”, Київ, 2002.
Досліджено вплив неоднорідностей острівцевої” структури омічних контактів на основі AuGe до (100) n-GaAs та обумовлених крайовими ефектами в меза-структурах на електричні характеристики діодів Ганна n-n+б-n++типу. Виявлено двохмірну картину межі поділу катодних контактів з напівпровідником та показано, що ступінь її неоднорідності визначає форму вольтамперної характеристики (ВАХ) та пробивну напругу діодів. Описано крайові ефекти в меза-структурах діодів Ганна, які проявлюються при пробої діодів та у впливі площі меза-структури (S) на ефективне значення напруженості порогового поля Епор. Отримано математичний вираз залежності Епор(S). Розроблено діоди Ганна з кільцевими катодними контактами та методику аналізу відказів.
Ключові слова:

Внаслідок проведених у роботі досліджень досягнено слідуючих результатів:
1. Розроблено методику виявлення двохмірної картини межі поділу вплавлених контактів на основі AuGe до (100) n-GaAs та аналізу ступеня її неоднорідності за допомогою реплік, яку можна використовувати безпосередньо у технологічному циклі виготовлення діодів Ганна.
2. Встановлено, що форма вплавлених острівців” золото-германієвої металізації визначається кристалічною структурою напівпровідника.
3. Показано - ступінь неоднорідності острівцевої” структури визначає асиметрію ВАХ та пробивну напругу діодів Ганна n-n+б-n++типу на її зворотній вітці.
4. Розроблено спосіб формування вплавлених у напівпровідник острівців” металізації з гострокутною формою у напрямку прикладання електричного поля, що дозволяє створити омічні контакти з більш високою густиною емісії носіїв.
5. Проведені дослідження крайових ефектів в діодах Ганна та встановлено, що вони проявлюються в локалізації сліду шнуру струму при пробої діода на краях контактів поблизу бокової поверхні меза-структури та у впливі площі меза-структури на значення напруженості порогового електричного поля.
6. Показано, що крайові ефекти пов’язані з більш високою густиною струму на краях контактів, що викликає викривлення силових ліній електричного поля у бік бокової поверхні меза-структури у допороговому режимі роботи діода Ганна.
7. Розроблено діоди Ганна n-n+б-n++типу з кільцевими катодними омічними контактами навколо області, яка перешкоджає потоку носіїв у напівпровідник, та показані можливості керування їх електричними параметрами.
8. Розроблено методику аналізу відказів діодів Ганна n-n+б-n++типу, яка базується на встановленому взаємозв’язку між контактними неоднорідностями та дефектами, які викликають відказ.