Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния Рязанцев, Иван Александрович

Короткий опис

Рязанцев, Иван Александрович.
Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Новосибирск, 1984. - 183 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Рязанцев, Иван Александрович
ВВЕДЕНИЕ V
ГЛАВА I. ПОВЕДЕНИЕ ДЕФЕКТОВ И ПРИМЕСИ В АМОРФНОМ КРЕМНИИ литературный обзор)
§1.1 Основные определения, структура аморфного кремния.
§1.2 Парамагнитные дефекты в ct-S>i
§ 1.3 Свойства CL-& , насыщенного водородом.
§ 1.4 Локализованные состояния в некристалических полупроводниках. Явления переноса
§1.5 Возможность легирования, насыщенных водородом слоев аморфного кремния а) Осаждение и легирование гидрированного a-Si из газовой б) Имплантация ионов в аморфные полупроводники
ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ
§2.1 Материал и приготовление образцов а) Получение CL-Ql с помощью ионной бомбардировки б) Напыление a- Si методом электронно-лучевого испарения в) Приготовление a-Si методом пиролиза моносилана
§ 2.2 Облучение образцов ионами
§2.3 Измерения методом ЭПР
§2.4 Определение электрофизических параметров cl
§ 2.5 Послойное удаление материала
§ 2.6 Обработка образцов а) Термический отжиг б) Гидрирование аморфного кремния в) Электронный отжиг
ГЛАВА III. ДЕФЕКТЫ В АМ0РФИ30ВАННЫХ ИОНАМИ СЛОЯХ КРЕМНИЯ
§ 3.1 Накопление дефектов в cl-$l при облучении его большими дозами ионов Si и ионов инертных газов
§3.2 Температурная зависимость сигнала ЭПР в аморфном кремнии, насыщенном газом
§3.3 Природа обратного отжига дефектов в CL-Sc.
§ 3.4 Расширение слоя аморфного St- при облучении кремния большими дозами ионов
Выводы по главе Ш
ГЛАВА 1У. СНИЖЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ СОСТОЯНИЙ
В ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОМ АМОРФНОМ КРЕМНИИ
§4.1 Имплантация водорода в напыленные пленки
§4.2 Внедрение ионов водорода в пленки в процессе их конденсации
§ 4.3 Диффузия водорода в аморфном кремнии
§4.4 Электронно-стимулированный отжиг дефектов в слоях аморфного Si » содержащих фосфор и мышьяк
Выводы по главе 1У
ГЛАВА У. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИОННО-ЛЕГИРОВАННОГО
АМОРФНОГО КРЕМНИЯ
§5.1 Ионная имплантация примесей Ш и У групп в a-Si •• а) Получение низкоомных слоев п-типа проводимости б) Термическая стабильность ионно-легированных слоев аморфного кремния в) Приготовление слоев a-St. с дырочной проводимостью г) 0 поведении примеси и дефектных состояний при легировании аморфной фазы.
§ 5.2 Имплантация ионов марганца в ol-Sc а) Исследование электрофизических характеристик слоев a-Si<Mn>.
-6стр. б) Термообработка CL-Si<.Mn>. в) Модель комплекса дефект-примесь
Выводы по главе У