Экситон-фононное взаимодействие в криокристаллах инертных элементов Тарасова, Елена Ивановна

Короткий опис

Тарасова,ЕленаИвановна.Экситон-фононноевзаимодействиевкриокристаллахинертныхэлементов: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.15. - Харьков, 1984. - 220 с. : ил.больше
Цитаты из текста:

стр. 5
поглощением, рассеяни­ ем и испуск£шивм света кристаллами pf, 5 ] . Характер указанных яв­ лений существенно зависит от величиныэкситон-фононноговзаимо­ действия, т.е. от связи электронного возбуждения с различными ко­ лебательными модами решетки.Экситон-фононноевзаимодействиеоп­ ределяет форму

стр. 5
энергии к излучающим центрам, Перечисленные характеристики кристаллов служат экспериментальным проявлением механизмовэкситон-фононноговзаимодействия, приводя­ щих к образованию и заселению, наряду с состояниями свободныхэк­ ситонов, также связанныхэкситон-фононныхиэкситон-фотонных со­ стояний

стр. 11
температурах. 3. Проведен анализ экспериментальных данных по люминесцен­ ции и поглощению вкриокристаллахинертныхэлементовв терминах сосуществования свободных и автолокализованных состоянийэксито­ нов, (Ы1ределены основные параметрыэкситон-фононноговзаимодей­ ствияи показано, что они обуславливают

Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Тарасова, Елена Ивановна
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ЗАКОН ДИСПЕРСИИ И ШИРИНА ЗОНЫ ЗКСИТ0Н0В В СТАТИЧЕСКОЙ РЕШЕТКЕ КИЭ.
1.1. Экситоны промежуточного радиуса в КИЭ.
1.1.1. Приближение слабой связи.
1.1.2. Приближение сильной связи
1.2. Экситон промежуточного радиуса: вклад дырки и атомного возбужденного состояния электрона в адиабатическом приближении
1.3. Дырочная зона.
1.4. Экситонный закон дисперсии
1.5. Ширина экситонной зоны.
1.6. Оценка ширины экситонных зон по экспериментальным данным.
ГЛАВА 2. ЗАТУХАНИЕ СВОБОДНЫХ ЭКСИТ0.Н0В НА АКУСТИЧЕСКИХ
ФОНОНАХ.
2.1. Адиабатическое приближение
2.2. Гамильтониан
2.3. Критерии слабого и сильного экситон-фононного взаимодействия
2.4. Однофононное затухание. Общее выражение.
2.5. Затухание свободных экситонов при Т =
2.6. Рассеяние экситонов на тепловых фононах.
2.6.1. Рассеяние медленных экситонов ( < S ).
2.6.2. Рассеяние быстрых экситонов ( VK > S ).
2.7. Затухание термализованных экситонов с S
2.8. Обсуждение результатов численных расчетов затухания экситонов в КИЭ.
2.9. Неадиабатическое смещение энергетических уровней экситонов.
2.9.1. Вклад нулевых колебаний в сдвиг экситонных состояний.
2.9.2. Вклад тепловых фононов в сдвиг экситонных состояний.
Г1АВА 3. СОСУЩЕСТВОВАНИЕ СВОБОДНЫХ И АВГ0Л0КАЛИ30ВАННЫХ
ЭКСИТОНОВ.
ЗЛ. Узельное представление гамильтониана кристалла
3.2. Вариационный принцип
3.3. Автолокализация экситонов в КИЭ. Параметры экситон-фононного взаимодействия
3.4. Одноцентровые локальные оптические центры в КИЭ.
3.4.1. Особенности внешнего состояния электрона в КИЭ.
3*4.2. Деформация решетки примесным атомом в основном состоянии.
3*4*3. Возбужденное состояние примесного атома
3.4.4* Экситон в узельном представлении.
3.4.5. Автолокализованный экситон атомарного типа.
3.4.6. 0 люминесценции примесных оптических центров
3.5. 0 природе полос двухцентровых автолокализованных экситонов в кристаллическом ксеноне.
ГЛАВА 4. ЗКСИТ0Н-Ф0Т0Н-Ф0Н0НН0Е ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И ФУНКЦИЯ
РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛЯРИТОНОВ.
4.1. Равновесная функция распределения поляритонов и эффект теплового барьера
4.2. Время жизни поляритонов и уравнение для неравновесной £РП.
4.3. Вероятности одно- и двухфононного рассеяния поляритонов на акустических фононах.
Ц.Ц* Симметризация одно- и двухфононного рассеяния поляритона при повышении температуры
4,5, функция распределения поляритонов.