Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs Жуков, Андрей Викторович

Короткий опис

Жуков, Андрей Викторович.
Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ульяновск, 1999. - 150 с.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Жуков, Андрей Викторович
Влияние электрического поля на вероятность безызлучательных и оптических переходов с участием глубоких центров в ваАв.
Основные электрофизические свойства ваАз.
Дефекты в ваАз.
Примеси
Собственные дефекты Ловушка ЕЬ2. Комплексы Ува-О
Электронно-колебательные переходы в полупроводниках в присутствии электрического поля.
Однокоординатная модель.
Модели, описывающие электронноколебательные переходы с глубоких примесных центров в сильных электрических полях. Выводы.
Расчет полевых зависимостей скоростей эмиссии носителей с глубоких примесных центров, опирающийся на экспериментальную форм-функцию оптического перехода.
Алгоритм расчета полевых зависимостей скорости эмиссии с глубоких центров. Квантово-механический расчет вероятности безызлучательного перехода с локализованных состояний глубоких центров. Экспериментальное определение форм-функции оптического перехода по спектрам фотолюминесценции. Образцы для исследования.
Спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев ваАБ.
Расчет форм-функции излучения для комплекса УСа8Аз в ваАэ из экспериментальной полосы люминесценции.
Создание и исследование барьеров Шоттки ОаАэ.
Создание на исследуемых пластинах СаАз:8 поверхностно - барьерных контактов металл-полупроводник.
Исследование контактов ЫШаАз.
Измерение полевой зависимости скорости эмиссии дырок с глубокого уровня комплекса Уоа8А5 вваАз.
Расчет полевой зависимости скорости эмиссии дырок с глубокого уровня комплекса в ваЛв и сопоставление его с экспериментальными данными. Выводы.
Расчет вероятности безызлучательных электронных переходов в однокоординатном приближении.
Расчет моментов форм-функций оптических переходов и анализ характеристик электронных переходов.
Расчет первых моментов полос излучения комплексов Уоа$А5 и Уоа8п0а. Анализ моментов полос излучения комплексов УсаЯл* И Уоа8п0а.
Определение параметров электрон-фононного взаимодействия. Построение конфигурационно-координатных диаграмм.
Расчет полевых зависимостей скоростей термической эмиссии на основании моделей однокоординатного приближения. Анализ применимости однокоординатной модели к описанию полевой зависимости скорости эмиссии дырок с глубокого уровня комплекса уог^аз в оааб.
Выводы.
Расчет вероятности оптических переходов в сильных электрических полях.
Расчет вероятности фотоионизации глубоких центров в сильных электрических полях. Измерение сечений фотоионизации электронов на глубоком центре комплекса Уса-8А5 в ваАз. Расчет форм-функции полосы оптического поглощения комплекса У0а-8Ая. Расчет форм-функции полосы поглощения комплекса Ува^ав из экспериментальных спектров сечения фотопроводимости. Расчет форм-функции полосы поглощения комплекса Ува-^Аз из форм функции полосы его излучения.
Сравнение форм-функций полосы поглощения комплекса Ува^Ав* полученных разными методами при различных полях. Расчет полевой зависимости сечения