Энергетическая зонная структура и динамика решетки некоторых соединений Ап Ву2 Тупицын, Виктор Евгеньевич

Короткий опис

Тупицын, Виктор Евгеньевич.Энергетическая зонная структура и динамика решетки некоторых соединений Ап Ву2 : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Кемерово, 1983. - 160 с. : ил.

Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Тупицын, Виктор Евгеньевич
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. СВОЙСТВО СИММЕТРИИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ЗОННОГО СПЕКТРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА АП В?>.
§ I. Кристаллическая структура полупроводников типа АП
§ 2. Симметрия кристаллической решетки.
§ 3. Топологическая структура энергетических зон полупроводников типа А1 В^.
§ 4. Законы дисперсии.
§ 5. Правила отбора для дипольных переходов в кристаллах с пространственной группой 5)ц и С^.
ГЛАВА П. ТЕОРИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЗОННОЙ СТРУКТУРЫ ТЕТРАГОНАЛЬНЫХ И МОНОКЛИННЫХ КРИСТАЛЛОВ АП в|.
§ I. Расчетные формулы метода псевдопотенциала.
§ 2. Энергия пустой решетки и СКГ1В для кристаллов с пространственной группой $ ц
§ 3. Кристаллический псевдопотенциал соединений
§ 4. Вычисление энергетической зонной структуры тетрагонального Zl1 Р^
§ 5. Вычисление энергетической зонной структуры тетрагонального CclP^
§ 6. Зонная структура и оптические свойства моноклинного Z П Р 2.
ГЛАВА Ш. ЗОННАЯ СТРУКТУРА, ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЯ, РЕНТГЕНОВСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ ТЕТРАГОНАЛЬНЫХ КРИСТАЛЛОВ АП В?
§ I. Структура энергетических зон тетрагональных
ZnPfc и С<3 Рг. вблизи края поглощения. бб
§ 2. Оптические междузонные переходы в тетрагональных Zn Р2 и [d в глубине собственного поглощения.
§ 3. Вычисление плотности электронных состояний в валентной зоне тетрагональных ZilP^ и CdP^.
§ 4. Строение валентной полосы тетрагональных ZhP^ и [d Р? (рентгеноспектральные исследования и сопоставление с вычисленной электронной плотностью состояний).
ГЛАВА 1У. РЕШЕТОЧНАЯ ДИНАМИКА СОЕДИНЕНИЙ АИ в|.
§ I. Экспериментальные исследования решеточной динамики кристаллов А^ В^
§ 2. Симметрия решеточных колебаний кристаллов АПв|.
§ 3. Правила отбора для инфракрасного поглощения и комбинационного рассеяния света на колебаниях решетки типа А^ В^.
§ 4. Рассеяния Мандельштама-Бриллюэна в кристаллах тетрагональной и моноклинной системы. Правила отбора для рассеяния МБР.
§ 5. Вычисление энергии электростатического взаимодействия ионов в сложных кристаллических структурах.
ВЫВОДЫ.'.из