Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия Свиридовский, Лев Савельевич

Короткий опис

Свиридовский, Лев Савельевич.
Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1984. - 144 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Свиридовский, Лев Савельевич
ВВЕДЕНИЕ
Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.
1.1. Электронная и атомная структура чистой поверхности полупроводниковых кристаллов - современная точка зрения и существующие проблемы
I.IД. Кремний.
I.1V2, Германий.
I.I.3. Фосфид галлия.
1.2. Методектропии поверхнной фото-э.д - вкочувительный метод ледования поверхнныхстояний в запрещенной зоне полупроводников
Выводы главы I .'.*.-'. ".
Глава П. МЕТОДЫ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.
2.1. Свервысоковакуумная установка для исследования фотоэлектрических свойств чистой поверхности полупроводников
2.2. Приготовление образцов.
2.3. Установка для исследования рельефа сколотой поверхности методом оптического отражения.
2.4. Методики измерений работы выхода электрона,ектропии поверхнной фото-э.д и фотопроводими
Выводы главы П.
Глава Ш. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА СКОЛОТОЙ ПОВЕРХНОСТИ
III) КРЕМНИЯ.
3.1. Исследование рельефа сколотой поверхности (III) кремния методом оптического отражения.
3.2. Обратный фотовольтаический эффект на кремнии,сколотом в вакууме 3 • 10 торр. с парциальным давлением Hg0 -2-1СГ9торр.
3.3. Спектроскопия ПФЭДС чистой поверхности So (III) - 2x1 (Т=130 К).
Выводы главы Ш
Глава 17. АНОМАЛЬНО БОЛЬШАЯ ПФЭДС И МОДЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНОГО ФОТОГАЛЬВАШМЕСКОГО ЭФФЕКТА НА ЧИСТОЙ ПОВЕРХНОСТИ Sc (III) - 2x
4.1. Экспериментальные результаты
4.2. Обсуждение экспериментальных результатов
4.2.1. Введение
4.2.2. Аномально большая ПФЭДС,вызванная неоднородностью поверхности
4.2.3. Поверхностный фотогальванический эффект.
4.3. Дополнительные эксперименты и их обсуждение
Выводы главы 1У
Глава У. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
ГЕРМАНИЯ И ФОСФИДА ГАЛЛИЯ. СРАВНЕНИЕ СО
СТРУКТУРОЙ Si (III) - 2x1.
5.1. Спектроскопия ПФЭДС чистой поверхности £е (III)- 2x
5.2. Электронная структура чистой поверхности (НО).
5.3. Сравнение фотоэлектрических свойств чистых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия.
Взводы главы У.
ВЫВОДЫ .••••