Фотоиндуцированные изменения в светочувствительных халькогенидных стеклообразных полупроводниках Микла, Виктор Иванович

Короткий опис

Микла, Виктор Иванович.
Фотоиндуцированные изменения в светочувствительных халькогенидных стеклообразных полупроводниках : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ужгород, 1983. - 223 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Микла, Виктор Иванович
ВВЕДЕНИЕ.'.I
Глава I. ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ДЕФЕКТЫ.
1.1. Энергетическая структура ХСП
1.2. Природа "собственных" дефектов в стеклообразных As (S,SeL
1.3. Влияние примесей на физико-химические свойства.
Глава 2. ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ.
2.1. Изменения физико-химических свойств ХСП под действием лазерной засветки.
2.2. Реверсивные и нереверсивные изменения в ХСП.
2.3. Необратимые изменения в тонких пленках ХСП.
2.3.1. Структура стекла As^^S^Se)^.
2.3.2. Особенности спектров комбинационного рассеяния света в свеженапыленных регистрирующих слоях на основе AS2S
2.3.3. Влияние состава на формирование случайной сетки стекла
2.3.4. Влияние отжига и засветки на КРС Свеженапыленных пленок.
2.3.4.1. Негативные ("квазиравновесные") слои.
2.3.4.2. Взаимосвязь структурных особенностей и условий приготовления слоев из системы As-S
2.4. Исследование фотоиндуцированной кристаллизации селенидов мышьяка
2.5. Реверсивные фотоиндуцированные изменения.
2.5.1. Реверсивные фотоиндуцированные изменения и КРС в пленках As-S(Se)
2.5.2. Релаксация фотоиндуцированных изменений. . 2.5.2.1. Фотоиндуцированное поглощение
2.5.2.2. Релаксация фототока и поглощение при импульсном возбуждении
2.5.3. Перезарядка локальных центров и реверсивные фотоиндуцированные изменения некоторых физико-химических параметров
Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛОКАЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ В СЛОЯХ ХСП.
3.1. Неизотермическая релаксация проводимости
3.1.1. Термостимулированная деполяризация в халькогенидном стекле: возможности и пределы применимости метода
3.1.2. Термостимулированная деполяризация и равновесная проводимость
3.1.3. Влияние интенсивной засветки на характер неизотермических релаксационных процессов в халькогенидных стеклах
3.2. Исследование дрейфа носителей заряда в светочувствительных слоях халькогенидных стекол
3.2.1. Методика исследования дрейфовой подвижности . и определения времени пролета носителей
3.2.2. Транспорт носителей в стеклообразных . халькогенидах мышьяка.
3.2.3. Дефекты и дрейфовая подвижность в свеженапыленных слоях AsSe
3.2.4. Расчет дрейфовой"подвижности носителей. заряда в светочувствительных слоях ХСП
3.2.5. Оптическая запись и дрейф фотовозбувденных носителей.
Глава 4. УПРАВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОННЫМИ СВОЙСТВАМИ И СВЕТОЧУВСТШТЕЛЬНОСТЬЮ ХСП.
4.1. Электрические и оптические свойства ХСП при введении и изменении.третьего компонента
4.I.I. Локализованные состояния б стеклах Cu-As-Se
4.1.2. Влияние замещения на электронно-дырочные процессы в стеклах системы Cu-As-Se.
4.2. Механизм фотоиндуцированных изменений.
4.2.1. Структурные (необратимые) изменения
4.2.2. Электронные процессы при фотоиндуцированных изменениях.
4.3. Возможные пути улучшения глубины модуляции некоторых параметров слоев ХСП