Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе Ластовка, Владимир Викторович

Короткий опис

Титов, Алексей Васильевич.
Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Одесса, 1983. - 207 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Ластовка, Владимир Викторович
ВВЕДЕН!® ц
ГЛАВА I. Ионная имплантация как метод управления электрофизическими и оптическими свойствами соединений
W1.1С
§ I.I Дефектообразование и термодинамика процессов равновесной самокомпенсации . Ю
§ 1.2 Особенности радиационного дефектообразования в л11]/1.
§ 1.3 Ионное легирование соединений
Выводы. Постановка задачи. .зв
ГЛАВА П. Исследование электрических и оптических свойств низкоомных слоев ZnSe ионно-легисованных
§ 2.1 Методика получения ионно-летированных индием слоев
Zn$e . Измерение электрофизических параметров.
§ 2.2 Электрофизические параметры слоев селенида цинка, и онно-ле тированного индием. $ 2.3 Фотолюминесценция селенида цинка, имплантированного индием.«52. $ 2.4 Обсуждение результатов
ГЛАВА Ш. Дырочная проводимость селенида цинка, ионно-легиро-ванного мышьяком
§ 3.1 Особенности приготовления ионно-летированных слоев Zn$e р-гипа и методика измерения их электрофизических параметров.G
Ь 3.2 Электрические и оптические характеристики слоев селенида цинка, ионно-летированного .7J 3.3 Обсуждение результатов.
ГЛАВА 1У. Излучающие структуры с барьером Шоттки и имплаятационным р-п-переходом на основе селенида цинка. . ,S2.
§4.1 Особенности излучающих структур на основе широкозонных соединений
§ 4.2 Технология приготовления и методика исследования излучающих структур. $ 4.3 Сравнительные исследования инжекционной электролюминесценции в структурах с барьером Шоттки и имплантационным р-п-переходом.'/02.
§ 4.4 Обсуждение результатов.II