Исследование параметров локальных центров в полупропроводниковых структурах методами растровой электронной микроскопии Чубаренко, Владимир Алексеевич

Короткий опис

Чубаренко, Владимир Алексеевич.
Исследование параметров локальных центров в полупропроводниковых структурах методами растровой электронной микроскопии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04. - Москва, 1984. - 168 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Чубаренко, Владимир Алексеевич
ВВЕДЕНИЕ.
ШВА I
ОБЗОР ЕМКОСТНЫХ МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, А ТАКЖЕ МЕТОДОВ
ЭЛЕКТР0НН030НД0В0Г0 И ОПТИЧЕСКОГО СКАНИРОВАНИЯ.
§ I.I Емкостные и термостимулпрованные исследования примесных центров.
1.1.1 Влияние глубоких уровней на емкость р-п перехода.
1.1.2 Фотоемкостный метод
1.1.3 Емкостная .'релаксационная спектроскопия.
1.1.4 Сканирующая релаксационная спектроскопия.
1.1.5 Процессы термостимулированной релаксации.
§ 1.2 Растровые оптические микроскопы и их применение
1.2.1 Особенности оптического сканирования.
1.2.2 Лазерные сканирующие системы.
1.2.3 РОМ на основе двух ЭЛТ.
1.2.4 РОМ с лазерной мишенью.
§ 1.3 Изучение свойств и характеристик МДП-структур сканирующими методами
1.3.1 Исследование МДП-структур с помощью РЭМ
1.3.2 Исследование МДП-структур оптическими методами.
1.3.3 Емкостные методы определения параметров МДП-структур.
ГЛАВА П
РАСТРОВАЯ ОПТИЧЕСКАЯ МИКРОСКОПИЯ НА БАЗЕ РЭМ И ЕЕ ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ ЛОКАЛЬНОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ.
§ 2.1 Свойства и характеристики катодолюминофоров для оптического сканирования . •
§ 2.2 Устройство и возможности РОМ на базе РЭМ.
§ 2.3 Применение РОМ для дефектоскопии МДП БИС и МДП-структур.
ГЛАВА Ш
ИССЛЕДОВАНИЕ МДП-СТРУКТУР МЕТОДАМИ РАСТРОВОЙ
ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ.
§3.1 Аналитический расчет режима НТ в РЭМ применительно к МШ-структурам.
§ 3.2 Влияние воздействия электронным зондом на параметры МДП-структур.
3.2.1 Образцы и техника измерения.
3.2.2 Динамические измерения в режиме НП
§3.3 Локальные исследования встроенных и мобильных неоднородностей МДП-структур.
3.3.1 Оптимизация контраста локальных дефектов в режиме динамического НП.
3.3.2 Термополевые исследования по ионным миграциям.
3.3.3 Эффект памяти в МДП-структуре при микрозаписи электронным зондом
ГЛАВА 1У
ЛОКАЛЬНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПРИМЕСНЫХ УРОВНЕЙ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР В РЭМ.
§ 4.1 Механизм формирования и информативность емкостного контраста при отображении р-п переходов.
4.1.1 Изменение барьерной емкости при облучении электронным зондом
4.1.2 Изменение диффузионной емкости при облучении электронным зондом
§4.2 Способы и аппаратура для получения емкостного контраста в РЭМ.
4.2.1 Формирование изображения в С-контрасте с помощью мостовой схемы
4.2.2 Метод частотной модуляции.
4.2.3 Изображение р-п переходов в С-контрасте.
§ 4.3 Исследование р-п переходов в режимах НТ и НП при низких температурах
§ 4.4 Локальная спектроскопия на основе регистрации наведенного и термостимулированного токов в РЭМ. . •
4.4.1 Теория.
4.4.2 Экспериментальные результаты
ВЫВОДЫ.