Исследование природы диэлектрических и электрооптических свойств кристаллов и Тi-диффузного микроволновода света Фелинский, Георгий Станиславович

Короткий опис

Фелинский, Георгий Станиславович.
Исследование природы диэлектрических и электрооптических свойств кристаллов и Тi-диффузного микроволновода света : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.03. - Киев, 1984. - 199 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Фелинский, Георгий Станиславович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. СПЕКТРОСКОПИЯ КР ПРИ ИССЛЕДОВАНИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
И 30 СВОЙСТВ НЕЦЕНТРОСИММЕТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ . . II
1.1. Длинноволновые фононы в многоатомных нецентросимметричных" кристаллах.
1.2. Связь линейного электрооптического эффекта с нелинейной поляризуемостью
1.3. Теория процессов рассеяния и особенности КР в электрооптических кристаллах
1.4. Оптические микроволноводы света в нецентро-симметричных, кристаллах.37.
1.5. Применение диффузных микроволноводов'в ниоба-те лития для модуляторов и дефлекторов света
ГЛАВА П. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ НЕЦЕНТР ОСИММЕТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ СПЕКТРОСКОПИИ КОМБИ
НАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ.
2.1. Исследование угловой дисперсии анизотропных фононов в ниобате лития методом КР спектроскопии /118, 125/.
2.2. Диэлектрические свойства кристаллов и затухание полярных фононов /119/.
2.3. Дисперсионный анализ диэлектрической проницаемости по спектрам КР /130/.
2.4. Дисперсионный анализ СДА) диэлектрической проницаемости в иодате лития
2.5. ДА диэлектрической проницаемости б танталате лития.
2.6. ДА диэлектрической проницаемости б ниобате лития.
ГЛАВА Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ И
ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА НЕЦЕНТРОСИММЕТРИЧНЫХ
КРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ КР.
3.1. Электронно-решеточный вклад в ЛЭОЭ и динамика кристаллической решетки /121, ,126/ .»
3.2. Электронно-ионные вклады в ЛЭОЭ кристалла иодата лития.ЮЗ
3.3. Электронно-ионные вклады в ЛЭОЭ танталата и ниобата лития
3.4. Внутрикристаллическое поле в анизотропных диэлектриках. /102/.
3.5. Измерение чисто-электронного вклада в ЛЭОЭ.
ГЛАВА IУ.КР-ИССЛЕД ОВАНИЕ ДИНАМИКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ,
ОПТИЧЕСКИХ И ЭО СВОЙСТВ Т1-ДИФФУЗНЫХ МИКРОВОЛНОВОДОВ В НИОБАТЕ ЛИТИЯ
4.1, Методика и особенности изготовления TL-диффузных слоев в ниобате лития.
4.2, Измерение оптических характеристик микроволноводов в Ti-диффузных слоях ниобата лития.
4.3, Исследование спектров КР диффузных микроволноводов в ниобате лития /108/
4.4, Определение решеточного вклада в изменение показателя преломления оптического микроволноюда BLiNb03:Tl.
4.5. Влияние Т1-диффузного микроволновода на электронно-решеточный вклад в ЛЭОЭ.
4.6. Дисперсия ЭО коэффициентов и предел повышения широкополосности интегральных устройств
4.7. Расчет распределения электрического поля компланарных систем электродов /124/
4.8. Электроемкость электродных систем волноводных модуляторов и дефлекторов света /115/ •
4.9. Некоторые вопросы применения диффузных микроволноводов света в устройствах интегральной оптики.
ВЫВОДЫ.