Исследование столкновительных и диффузионных процессов при ионной имплантации Баранов, Максим Александрович

Короткий опис

Баранов, Максим Александрович.
Исследование столкновительных и диффузионных процессов при ионной имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Ижевск, 1999. - 164 с.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Баранов, Максим Александрович
ВВЕДЕНИЕ.
I. МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПУТЕМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ эксперимент, теория , компьютерное моделирование).
1.1. Рассеяние ионов поверхностями твердых тел.
1.1.1. Энергетические спектры обратнорассеянных ионов.
1.1.2. Влияние состояния поверхности на вид спектров обратнорассеянных ионов.
1.1.3. Влияние температуры мишени на характер энергетического распределения обратнорассеянных ионов.
1.1.4. Угловые спектры отраженных ионов.
1.1.5. Изучение поверхности с помощью отраженных ионов.
1.2. Распыление поверхностей твердых тел
1.2.1. Теоретические модели ионного распыления однокомпонентных твердых тел.
1.2.2. Теоретические модели распыления многокомпонентных мишеней.
1.3. Радиационно-стимулированная диффузия и сегрегация.
1.3.1. Механизмы радиационно-стимулированной диффузии и сегрегации.
1.3.2. Механизмы равновесной сегрегации.
1.3.3. Связь селективного распыления с сегрегацией с сегрегацией и примесно-стимулированная сегрегация.
1.3.4. Влияние сопутствующих факторов на явление сегрегации.
1.4. Теоретическое описание поведения макровключений.
1.5. Механизмы облегченной аморфизации при ионной имплантации.
1.6. Влияние аморфной структуры мишени на процессы сопутствующие ионной имплантации.
1.7. Машинное моделирование ионной имплантации.
Выводы главы.
II. МЕТОДЫ КОМПЬЮТЕРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРОЦЕССОВ, СОПРОВОЖДАЮЩИХ ИОННУЮ ИМПЛАНТАЦИЮ.
2.1. Компьютерные программы основанные на приближении парных столкновений.
2.1.1. Потенциалы взаимодействия.
2.1.2. Длина свободного пробега.
2.1.3. Учет неупругих потерь энергии.
2.1.4. Определение сорта атома-партнера.
2.1.5. Параметры столкновения.
2.1.6. Расчет траектории.
2.1.7. Сечение упругого взаимодействия.
2.1.8. Условие остановки атома.
2.1.9. Пределы применимости приближения парных столкновений.
2.1.10. Влияние неучета квантовых эффектов при описании взаимодействия атомов.
2.2. Метод молекулярной динамики (ММД).
2.3. Решение диффузионных уравнений.
Выводы главы.
III. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАДАЧ ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ.
3.1. Учет функции радиального распределения в методе Монте-Карло при решении задач обратного рассеяния ионов.
3.2. Применение метода Монте-Карло к анализу спектров обратнорассенных ионов.
Выводы главы.
IV. ЗАВИСИМОСТЬ ВНЕДРЕННОЙ ДОЗЫ ИМПЛАНТАНТА ОТ ПЛОТНОСТИ
ИОННОГО ПОТОКА.
4.1. Экспериментальные данные и их обсуждение.
4.2. Результаты компьютерного моделирования.
4.3. Теория движения макроскопических включений в кристаллических телах.
4.4. Построение математической модели.
4.5. Результаты модельных расчетов.
4.6. Обсуждение предложенной модели.
Выводы главе.