Исследование вторичного свечения в CdS в условиях акустической неустойчивости Акатов, Леонид Леонидович

Короткий опис

Акатов, Леонид Леонидович.
Исследование вторичного свечения в CdS в условиях акустической неустойчивости : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Ленинград, 1984. - 192 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Акатов, Леонид Леонидович
В В Е Д Е Н И Е.
Глава 1 - УСИЛЕНИЕ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН ДРЕЙФОМ НОСИТЕЛЕЙ В ПЬЕЗОПОЛУПРОВОДНИКАХ И ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАЗВУКА
НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ.
§ 1 - Линейный режим акустоэлектронного усиления. -
§ 2 - Нелинейный режим акустоэлектронного усиления
§ 3 - Акустическая неустойчивость.
§ 4 - Рассеяние Манделынтама-Бриллюэна.
§ 5 - Экситоны и эффекты сильного оптического возбуждения в полупроводниках.
Глава П - МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.
§ 1 - Установка для исследования акустоэлектронных и электронных свойств полупроводников оптическими методами.
1.1 - Общее описание установки.
1.2 - Криостат.
1.3 - Оптические схемы освещения образца и сбора вторичного свечения.;.
1.4 - Двойной монохроматор.
1.5 - Регистрирующая система.
1.6 - Генератор высоковольтных импульсов.
§ 2 « Методика приготовления и характеристики образцов .
Глава Ш - ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ АКУСТОЭЛЕКТРОННОГО УСИЛЕНИЯ ПРОДОЛЬНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ
ВОЛН В ДИАПАЗОНЕ 50 ГГЦ В .
§ 1 - Оценка возможности усиления акустических волн в диапазоне 50 ГГц и особенности эксперимента.
§ 2 - Спектры рассеяния Манделыптама-Бриллюэна. -
§ 3 - Исследование линейного участка акустоэлект-ронного усиления продольных АВ с частотой
42 ГГц.
§ 4 - Исследование нелинейного режима акустоэлект-ронного усиления продольных АВ с частотами
42 ГГц.
§ 5 - Оценка абсолютной интенсивности акустических волн, усиленных дрейфом носителей в Со(.£ при
62° К.
Глава 1У- ИНДУЦИРОВАННОЕ ЭФФЕКТОМ ФРАНЦА-КЕЛДЫША АКУС-ТОЭЛЕКТРОННОЕ УСИЛЕНИЕ И ВТОРИЧНОЕ СВЕЧЕНИЕ
В CdS .
§ 1 - Экспериментальные результаты.
§ 2 - Модель акустоэлектронного усиления с учетом эффекта Франца-Келдыша.
§ 3 - Образование ЭДП в условиях акустической неустойчивости w насыщение индуцированного эффектом Франца-Келдыша акустоэлектронного усиления.
Глава У - КОНТРОЛИРУЕМОЕ СТОЛКНОВЕНИЯМИ РАССЕЯНИЕ СВЕТА СВОБОДНЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. -
§ 1 - Рассеяние света полупроводниковой плазмой обзор).
1.1 - Рассеяние света полупроводниковой плазмой в бесстолкновительном режиме.
1.2 - Рассеяние света свободными носителями в полупроводниках с учетом частых столкновений.
1.3 - Рассеяние света генерационно-рекомбинационным шумом в плазме полупроводника.
§ 2 - Экспериментальное исследование контролируемого столкновениями рассеяния света свободными электронами в полупроводниках и влияние на него внешнего электрического поля.
§ 3 - Рассеяние света на генерационно-рекомбинаци<онном шуме. Эксперимент.
3 А К Л Ю Ч Е Н И Е.