Комбинационное рассеяние света в массивах нанообъектов кремния и арсенида галлия Володин, Владимир Алексеевич

Короткий опис

Володин, Владимир Алексеевич.
Комбинационное рассеяние света в массивах нанообъектов кремния и арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Новосибирск, 1999. - 180 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Володин, Владимир Алексеевич
ВВЕДЕНИЕ.
Глава 1. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КВАНТОВЫХ ОБЪЕКТОВ, ФОРМИРУЮЩИХСЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).
§1.1 Комбинационное рассеяние света в пленках нанокристаллического и поликристаллического кремния.
§1.2 Оптические свойства нанокристаллов кремния в пленках нитрида и оксида кремния.
§1.3 Фононный спектр сверхрешеток ваАзМААз.
§1.4 Оптические и фононные свойства квантовых проволок и квантовых точек ваАБ.
Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ.
§2.1 Методика спектроскопии комбинационного рассеяния света.
§2.2 Методика спектроскопии поглощения света.
§2.3. Измерение толщин и оптических констант тонких полупроводниковых пленок методом эллипсометрии.
§2.4 Методики приготовления экспериментальных образцов.
Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В ПЛЕНКАХ а-8Ш МЕТОДОМ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ
СВЕТА.
§3.1 Исследование формирования нанокристаллов кремния в пленках аморфного кремния.
§3.2 Комбинационное рассеяние света в системе ориентированных нанокристаллов кремния.
§3.3 Исследование кинетики кристаллизации и структуры полученных пленок поликремния.
Глава 4. КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА В ПЛЕНКАХ НИТРИДА И ОКСИДА КРЕМНИЯ, СОДЕРЖАЩИХ НАНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ.
§4.1 Правила отбора комбинационного рассеяния света по симметрии для произвольно ориентированных нанокристаллов кремния.
§4.2 Исследование методом комбинационного рассеяния света нанокристаллов кремния в пленках SiNx и SiOx.
Глава 5. ЛОКАЛИЗАЦИЯ ОПТИЧЕСКИХ ФОНОНОВ В КВАНТОВЫХ ПРОВОЛОКАХ И ОСТРОВКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, ФОРМИРУЮЩИХСЯ НА РЕКОНСТРУИРОВАННОЙ
ПОВЕРХНОСТИ.
§5.1 Расщепление по частоте поперечных оптических фононов, локализованных в квантовых проволоках GaAs.
§5.2. Исследование спектра оптических фононов, локализованных в квантовых островках GaAs, самоорганизующихся при гетероэпитаксиальном росте GaAs/AlAs в условиях реконструкции поверхности (001).