Люминесценция ионно-имплантированных широкозонных полупроводниковых соединений GaN и ZnSe Хасанов, Ильдар Шамильевич

Короткий опис

Хасанов, Ильдар Шамильевич.
Люминесценция ионно-имплантированных широкозонных полупроводниковых соединений GaN и ZnSe : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Черноголовка, 1984. - 164 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Хасанов, Ильдар Шамильевич
ВВЕДЕНИЕ
Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
§ 1.1. Механизмы излучательной рекомбинации и перспективы применения нитрида галлия
1.1.1. Механизмы излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в ваА/
1.1.2. Перспективы применения и светоизлучающие структуры на основе ва/У.
Выводы.
§ 1.2. Механизмы излучателъной рекомбинации и перспективы применения селенида цинка
1.2.1. Механизмы излучателъной рекомбинации неравновесных носителей заряда в2л5е
1.2.2. Перспективы применения и светоизлучающие структуры на основе ИпЗе.
Выводы •.
§ 1.3. Метод ионной имплантациии:':атжиг имплантированных слоев полупроводников
1.3.1. Ионная имплантация полупроводниковых соединений
1.3.2. Отжиг имплантированных слоев полупроводников
Глава П. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ
§ 2.1. Возбуждение фото- и катодолюминесценции полупроводников
2.1.1. Глубина возбуждаемого слоя при катодо- и фотолюминесценции
2.1.2. Экспериментальная установка
§ 2.2. Ионная имплантация и отжиг
Глава Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ИОННО-ИМПЛАНТИРО
ВАННЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
§ 3.1. Ка то до люминесценция исходных образцов 6?аД/
3.1.1. Характеристика исходных образцов баА/
3.1.2. Спектры катодолюминесценции
§ 3.2. Катодолюминесценции ионно-имплантированных слоев а N <> не связанная с имплантированной примесью
3.2.1. Краевая полоса катодолюминесценции
3.2.2. Полосы люминесценции GйN , связанные с дефектами структуры
§ 3.3. Полосы катодолюминесценции баА/ > связанные с имплантированной примесью.
3.3.1. Фосфор
3.3.2. Магний
3.3.3. Кадмий
3.3.4. Цинк.
3.3.5. Алюминий
§ 3.4. Оптическое пропускание и проводимость ионно-имплантированных слоев £?аА/.
3.4.1. Спектры оптического пропускания
3.4.2. Проводимость ионно-имплантированного (ЗзА/
§ 3.5-. Исследование ионно-имплантированных слоев методом обратного рассеяния протонов
Резюме.ЮЗ
Глава 1У. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛЮШНЕСЦЕНЦИИ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА.
§ 4.1. Люминесценция исходных образцов селенида цинка.
4.1.1. Характеристика исходных образцов
4.1.2. Спектры катодо- и фотолюминесценции
§ 4.2. Люминесценция Zn.Se, облученного к-квантами . . III
- ц.
§ 4.3. Фотолюминесценция ионно-имплантированных слоев
4.3.1. Общая характеристика спектров люминесценции ионно-имплантированного ZnSe.
4.3.2. Ионная имплантация аргона и водорода . XIV
4.3.3. Ионная имплантация цинка
4.3.4. Ионная имплантация кислорода и серы
§ 4.4. Оптическое пропускание ионно-имплантированного ZnSei
§ 4.5. Отжиг селенида цинка в вакууме и на воздухе
§ 4.6. фотолюминесценция ZnSe, легированного различными примесями.
Резюме.