Механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда в лазерах с электронной накачкой на основе твердого раствора InGaAsSb Матвеенко, Елена Владимировна

Короткий опис

Матвеенко, Елена Владимировна.
Механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда в лазерах с электронной накачкой на основе твердого раствора InGaAsSb : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04. - Москва, 1984. - 184 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Матвеенко, Елена Владимировна
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. Процессы излучательной и безызлучательной рекомбинации неравновесных носителей в полупроводниках
1.1. Излучательная рекомбинация.
1.2. Некоторые вопросы теории полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком
1.3. Безызлучательная рекомбинация
1.4. Оптические свойства и параметры лазерного излучения арсенида индия и антимонида галлия.
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 2. Выбор объектов исследования, экспериментальная установка и методики исследования
2.1. Получение многокомпонентных твердых растворов и ЗпЯ&^йР и исследование структурных свойств образцов.
2.2. Исследование влияния кристаллографических несовершенств на параметры лазерного излучения (антимонид галлия).
2.3. Метод получения и исходные свойства арсенида индия.6б
2.4. Экспериментальная установка и методики исследования лазерного излучения
ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 3. Механизмы рекомбинации в лазерах на основе арсенида индия и антимонида галлия, влияние безызлучательной Оясе-рекомбинации на параметры лазерного излучения
3.1. Исследование параметров лазерного излучения арсенида индия и антимонида галлия.
3.1.1. Арсенид индия.
3.1.2. Антимонид галлия.
3.1.3. Нелегированные эпитаксиальные пленки арсенида индия и антимонида галлия.
3.2. Расчет коэффициентов усиления и порогового уровня возбуждения активной среды, сравнение экспериментальных результатов с расчетом.
3.3. Роль Оже-рекомбинации при высоких уровнях возбуждения, экспериментальное определение коэффициентов межзонной Оже-рекомбинации в арсениде индия и антимониде галлия.-1
3.4. Влияние безызлучательной рекомбинации на параметры лазерного излучения
ВЫВОДЫ. . .-£
ГЛАВА 4. Получение и исследование лазерного эффекта в че-тырехкомпонентных твердых растворах к Jn 12®
4.1. Физико-химические основы создания нетырехкомпо-нентных твердых растворов.
4.2. Неохлаждаемый лазер на основе Ga^ Js^ в области 1,8 - 2,4 мкм.
4.3. Исследование механизмов Оже-рекомбинации в четы-рехкомпонентном твердом растворе
4.4. Эффективный лазер с электронной накачкой в области 3,1 - 3,7 мкм на основе JnJs&4>P
ВЫВОДЫ.