Микроструктура монокристаллов карбида кремния по данным рентгеновского фазово-контрастного изображения и топографии в синхротронном излучении Аргунова Татьяна Сергеевна

Короткий опис

Аргунова, Татьяна Сергеевна.
Микроструктура монокристаллов карбида кремния по данным рентгеновского фазово-контрастного изображения и топографии в синхротронном излучении : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07 / Аргунова Татьяна Сергеевна; [Место защиты: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук]. - Санкт-Петербург, 2021. - 220 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор наук Аргунова Татьяна Сергеевна
Введение
1. Обзор литературы
1.1 Микропоры в монокристаллах карбида кремния и их свойства
17
1.2 Метод фазово-контрастного изображения на просвет в СИ
27
1.2.1 Принципы метода
27
1.2.2 Распространение и метода
30
1.2.3 Регистрация фазово ко нт р сьс т н ых изображений
33
1.3 Рентгеновская топография в синхротронном излучении
35
1.4 Совместное применение методов
42
1.5 Примеры совместного применения методов
45
1.6 Выводы
52
2. Компьютерное моделирование фазово-контрастных изображений и решение обратной задачи
54
2.1 Розовый пучок
55
2.2 Метод моделирования и компьютерная программа
57
2.3 Задача о микротрубке с малым продольным диаметром
61
2.4 Задача о наклонной микротрубке
65
2.5 Задача о повороте поперечного сечения
70
2.6 Двумерное компьютерное моделирование изображений
73
2.6.1 Образцы для исследования
74
2.6.2 Ш-моделирование трубчатой поры
76
2.6.3 2Б-моделирование микрокапсулы
77
2.7 Выводы
3. Экспериментальные исследования микротрубок
в кристаллах SiC методом фазово-контрастного изображения
3.1 Морфологические особенности микротрубок
85
3.2 Взаимодействие между дислокационными микротрубками
96
3.2.1 Коррелированное уменьшение диаметров
96
3.2.2 Модель бесконтактной реакции
99
3.2.3 Контактные взаимодействия между микротрубками
102
3.3 Выводы
108
4. Политипная однородность и эволюция дефектной структуры в процессе роста кристаллов SiC
109
4.1 Поры на границах включений инородных политипов
110
4.2 Роль микротрубок в формировании пор на границах включений
114
4.3 Рост пор по механизму поглощения микротрубок
117
4.4 Эволюция дефектов при стабильном росте основного политипа
121
4.5 Кристаллы SiC, полученные методом свободного распространения
132
4.5.1 Строение кристаллов
132
4.5.2 Дислокации и микротрубки
135
4.5.3 Границы разориентации. Щелевидные поры
138
4.5.4 Обсуждение экспериментальных результатов
144
4.6 Выводы
5. Карбид кремния как подложка для выращивания кристаллов нитрида алюминия
5.1 Структурные свойства GaN и A1N на подложках SiC
151
5.2 Испарение подложки SiC в процессе роста слоя A1N
154
5.3 Исследование дислокационной структуры в AIN/SiC
158
5.3.1 Эксперименты по методу топографии в СИ
158
5.3.2 Наблюдение дислокаций методом топографии
165
5.3.3 Особенности кривых дифракционного отражения
171
5.3.4 Модель релаксации напряжений несоответствия в AIN/SiC
175
5.4 Выводы
180
6. Заключение
181
Список цитируемой литературы
186
Список публикаций по теме диссертации
214