Каталог / Фізико-математичні науки / фізична електроніка
скачать файл: 
- Назва:
- Моделирование ионного облучения кристаллических и аморфных мишеней, включая материалы первой стенки токамака-реактора Мелузова Дарья Сергеевна
- Альтернативное название:
- Modeling of ion irradiation of crystalline and amorphous targets, including materials of the first wall of a tokamak reactor by Daria Sergeevna Meluzova
- ВНЗ:
- ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
- Короткий опис:
- Мелузова, Дарья Сергеевна.
Моделирование ионного облучения кристаллических и аморфных мишеней, включая материалы первой стенки токамака-реактора : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04 / Мелузова Дарья Сергеевна; [Место защиты: ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук]. - Санкт-Петербург, 2021. - 116 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Мелузова Дарья Сергеевна
1.1.3 Метод траекторий
1.1.4 Выводы
1.2 Современное состояние исследований
1.2.1 Пробеги, энерговыделение и отражение
1.2.2 Каналирование
1.2.3 Определение параметров ионно-атомных потенциалов из данных по поверхностному рассеянию
1.2.4 Распыление
1.2.5 Выводы
1.3 Цель и задачи диссертационной работы
2 Методика моделирования взаимодействия атомных пучков с твердотельными мишенями
2.1 Структура мишени
2.2 Начальные условия
2.3 Основной алгоритм
2.3.1 Метод БОЛ
2.3.2 Метод траекторий
2.4 Критерии завершения расчёта
2.5 Потенциалы взаимодействия
2.6 Электронные тормозные способности
2.7 Тепловые колебания
3 Исследование взаимодействия атомных пучков с твёрдым телом
3.1 Использование радужного рассеяния для характеризации поверхности кристалла
3.1.1 Основные термины и параметры
3.1.2 Сравнение с экспериментом
3.1.3 Амплитуда тепловых колебаний
3.1.4 Потенциал взаимодействия «налетающая частица - поверхность»
3.1.5 Выводы
3.2 Отражение атомов И, Э, X, Ив от аморфных мишеней
3.2.1 Влияние формы потенциала на коэффициенты отражения
3.2.2 Анализ зависимостей коэффициента отражения от энергии
3.2.3 Влияние структуры твёрдого тела
3.2.4 Выводы
3.3 Пробеги атомов Н, Э, Не в аморфных мишенях
3.3.1 Основные понятия
3.3.2 Пробеги атомов в кремнии и вольфраме
3.3.3 Влияние формы потенциала на величину пробега
3.3.4 Распределения пробегов по глубине
3.3.5 Выводы
3.4 Пробеги и пространственное распределение атомов H и D в кри-
сталлических мишенях в режиме каналирования
3.4.1 Пробеги атомов в Si(100)
3.4.2 Влияние энергии и угла падения атомов на распределения пробегов по глубине в W(100)
3.4.3 Пространственное распределение атомных частиц в канале
3.4.4 Применение рассмотренных эффектов
3.4.5 Выводы
3.5 Линейные потери энергии атомов H, D, T в аморфных мишенях
3.5.1 Параметры моделирования
3.5.2 Характер энерговыделения
3.5.3 Энерговыделение в условиях токамака-реактора
3.5.4 Выводы
3.6 Распыление мишени из аморфного вольфрама лёгкими ионами
3.6.1 Особенности моделирования распыления аморфной мишени
3.6.2 Коэффициенты распыления. Сравнение с результатами независимых измерений
3.6.3 Модель Back Scattering Sputtering
3.6.4 Выводы
Заключение
Цитируемая литература
Введение
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб